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71257S25Y

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24
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文件大小388KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71257S25Y概述

Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24

71257S25Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1167346622
包装说明SOIC-24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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