germanium power transistors
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | New Jersey Semiconductor |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
| 2N627 | 2N1554 | 2N11S2 | 2N1557 | 2N1162A | 2N1164 | 2N22S6A | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | germanium power transistors | germanium power transistors | germanium power transistors | germanium power transistors | germanium power transistors | germanium power transistors | germanium power transistors |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | - | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | , | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | unknow | unknow | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V | 30 V | - | 20 V | - | 35 V | - |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | - | O-MBFM-P2 | - | O-MBFM-P2 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | - | 2 | - | 2 | - |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | - | METAL | - | METAL | - |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | - | ROUND | - | ROUND | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT | - |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | - | NPN | - | PNP | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - | PIN/PEG | - | PIN/PEG | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | - | BOTTOM | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON | - | SILICON | - |
| Base Number Matches | - | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - |
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