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2N11S2

产品描述germanium power transistors
文件大小85KB,共2页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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2N11S2概述

germanium power transistors

2N11S2相似产品对比

2N11S2 2N1554 2N1557 2N1162A 2N1164 2N22S6A 2N627
描述 germanium power transistors germanium power transistors germanium power transistors germanium power transistors germanium power transistors germanium power transistors germanium power transistors
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
包装说明 - FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 , FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 - FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow - unknow
集电极-发射极最大电压 - 30 V 20 V - 35 V - 30 V
JESD-30 代码 - O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 - O-MBFM-P2 - O-MBFM-P2
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 - e0
端子数量 - 2 2 - 2 - 2
封装主体材料 - METAL METAL - METAL - METAL
封装形状 - ROUND ROUND - ROUND - ROUND
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
极性/信道类型 - NPN NPN - PNP - NPN
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - PIN/PEG PIN/PEG - PIN/PEG - PIN/PEG
端子位置 - BOTTOM BOTTOM - BOTTOM - BOTTOM
晶体管元件材料 - SILICON SILICON - SILICON - SILICON
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -

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