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BC848C

产品描述100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小615KB,共3页
制造商Olitech Electronics
官网地址http://olitech-elec.com/En_index.asp
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BC848C在线购买

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BC848C概述

100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

100 mA, 30 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

BC848C规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压30 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数420
额定交叉频率250 MHz

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Email: info@olitech-elec.com
FEATURES
For general AF applications
High collector current
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Website: www.olitech-elec.com
Plastic-Encapsulate Transistors
BC846A/B
(NPN)
BC847A/B/C
(NPN)
BC848A/B/C
(NPN)
Marking
BC846A
1A
BC846B
1B
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1G
BC848A
1J
BC848B
1K
BC848C
1. BASE
1L
2. EMITTER
3. COLLECTO
SOT-23
MAXIMUM RATINGS (TA=25
unless otherwise noted)
Parameter
BC846
Collector-Base Voltage
BC847
BC848
BC846
Collector-Emitter Voltage
BC847
BC848
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
CEO
V
CEO
V
CEO
V
EBO
I
C
Value
80
50
30
65
45
30
6
-0.1
0.2
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
P
C
T
J
Tstg
OLITECH ELECTRONICS CO. LTD.
Page:P3-P1

BC848C相似产品对比

BC848C BC846 BC847A BC848A BC848B BC847B BC846B
描述 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,65V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL 通用小信号 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL 通用小信号 RF SMALL SIGNAL 通用小信号 通用小信号
端子数量 3 3 3 3 - - -
晶体管极性 NPN NPN NPN NPN - - -
最大集电极电流 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A 0.1000 A - - -
最大集电极发射极电压 30 V 65 V 45 V 65 V - - -
加工封装描述 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 塑料 PACKAGE-3 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 塑料 PACKAGE-3 - - -
无铅 Yes Yes Yes Yes - - -
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes - - -
中国RoHS规范 Yes Yes Yes Yes - - -
包装形状 RECTANGULAR 矩形的 RECTANGULAR 矩形的 - - -
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - -
表面贴装 Yes Yes Yes Yes - - -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING - - -
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN - - -
端子位置 DUAL DUAL - - -
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 - - -
结构 SINGLE 单一的 SINGLE 单一的 - - -
元件数量 1 1 1 1 - - -
晶体管应用 AMPLIFIER 开关 AMPLIFIER 开关 - - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - - -
最小直流放大倍数 420 110 110 110 - - -
额定交叉频率 250 MHz 100 MHz 250 MHz 100 MHz - - -
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