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W972GG8JB-3

产品描述256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共87页
制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
标准
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W972GG8JB-3概述

256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60

256M × 8 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.4 ns, PBGA60

W972GG8JB-3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Winbond(华邦电子)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度11.5 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.012 A
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11 mm

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描述 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2 SDRAM - DDR2

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