256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
256M × 8 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.4 ns, PBGA60
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 1.9 V |
最小供电/工作电压 | 1.7 V |
额定供电电压 | 1.8 V |
加工封装描述 | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | BALL |
端子间距 | 0.8000 mm |
端子位置 | BOTTOM |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | OTHER |
内存宽度 | 8 |
组织 | 256M X 8 |
存储密度 | 2.15E9 deg |
操作模式 | SYNCHRONOUS |
位数 | 2.68E8 words |
位数 | 256M |
存取方式 | MULTI BANK PAGE BURST |
内存IC类型 | DDR DRAM |
端口数 | 1 |
最小存取时间 | 0.4000 ns |
W972GG8JB_12 | W972GG8JB-18 | W972GG8JB-25 | W972GG8JB-3 | W972GG8JB25I | W972GG8JB-3I | W972GG8JB-18 TR | W972GG8JB-25 TR | W972GG8JB25I TR | W972GG8JB-3 TR | |
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描述 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 | IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA |
技术 | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 |
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