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DS1258AB-70-IND

产品描述128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA40
产品类别存储    存储   
文件大小172KB，共8页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1258AB-70-IND概述

128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA40

DS1258AB-70-IND规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间70 ns
其他特性DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码R-PDIP-T40
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DS1258Y/AB
128k x 16 Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
FEATURES
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
10-Year Minimum Data Retention in the
Absence of External Power
Data is Automatically Protected During a
Power Loss
Separate Upper Byte and Lower Byte Chip-
Select Inputs
Unlimited Write Cycles
Low-Power CMOS
Read and Write Access Times as Fast as 70ns
Lithium Energy Source is Electrically
Disconnected to Retain Freshness Until
Power is Applied for the First Time
Full
±10%
Operating Range (DS1258Y)
Optional
±5%
Operating Range (DS1258AB)
Optional Industrial Temperature Range of
-40°C to +85°C, Designated IND
PIN ASSIGNMENT
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
40-Pin Encapsulated Package
740mil Extended
PIN DESCRIPTION
A0 to A16
DQ0 to DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable Upper Byte
- Chip Enable Lower Byte
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+5V)
- Ground
DESCRIPTION
The DS1258 128k x 16 nonvolatile (NV) SRAMs are 2,097,152-bit fully static, NV SRAMs, organized as
131,072 words by 16 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control
circuitry that constantly monitors V
CC
for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs,
the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to
prevent data corruption. DIP-package DS1258 devices can be used in place of solutions that build NV
128k x 16 memory by utilizing a variety of discrete components. There is no limit on the number of write
cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
1 of 8
033104

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描述 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA40 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA40 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDIP40 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA40 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP40 128k x 16 Nonvolatile SRAM 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DIP40 Safety Sign; Legend:Notice Authorized Personnel Only; External Height:7"; External Width:10"; Body Material:Polyester; Color:Blue/Black RoHS Compliant: NA
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最长访问时间 70 ns 100 ns 100 ns 70 ns 70 ns 100 ns 70 ns 70 ns
其他特性 DATA RETENTION > 10 YEARS DATA RETENTION > 10 YEARS - DATA RETENTION > 10 YEARS 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD - DATA RETENTION > 10 YEARS DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码 R-PDIP-T40 R-XDIP-T40 R-PDIP-T40 R-XDIP-T40 R-PDIP-T40 R-PDIP-T40 R-XDIP-T40 R-PDIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0 e0 e0
内存密度 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi 2097152 bi
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40 40 40
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES - YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP - DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 - DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A - 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA - 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

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