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71V3579YSA80BQ8

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165
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文件大小237KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V3579YSA80BQ8概述

Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165

71V3579YSA80BQ8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1124630637
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量165
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
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