RB751V-40: 产品描述0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小137KB，共2页; 制造商Yenyo Technology Co., Ltd.; 官网地址http://www.yenyo.com.tw/

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RB751V-40概述

0.3 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.3 A, 40 V, 硅, 信号二极管

RB751V-40规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
工艺	SCHOTTKY
结构	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
最大功耗极限	0.2000 W
二极管类型	SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压	40 V
最大平均正向电流	0.3000 A

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RB751V-40

YENYO

SCHOTTKY DIODES

SOD-323

FEATURES

· Low Forward Voltage Drop

· Flat Lead SOD-323 Small Outline Plastic Package

· Surface Device Type Mounting

· Suffix "H" indicates Halogen-free parts, ex. RB751-40H

Dimensions in inch and (millimeters)

Maximum Ratings@T

=25

℃

Parameter

Power Dissipation

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Forward Current

Non-Repetitive Peak Forward Current

(at 8.3ms single half sine-wave)

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

RRM

FSM

STG

Value

200

+125

-55 to +125

Unit

℃

Electrical Characteristics@T

=25

℃

Parameter

Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

Symbol

Min.

Max.

0.5

0.37

Unit

μA

Conditions

=10μA

=30V

=1.0mA

Revision 1.1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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