C1101A1B概述

Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16

C1101A1B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	AMD(超微)
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	1000 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	16
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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C1101A1B相似产品对比

	C1101A1B	C1101A1T	C1101A1TB
描述	Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16	Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16	Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	1000 ns	1000 ns	1000 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1
端子数量	16	16	16
字数	256 words	256 words	256 words
字数代码	256	256	256
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256X1	256X1	256X1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
表面贴装	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL

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