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C1101A1T

产品描述Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16
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文件大小366KB,共6页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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C1101A1T概述

Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16

C1101A1T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间1000 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

C1101A1T相似产品对比

C1101A1T C1101A1B C1101A1TB
描述 Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16 Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16 Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, CDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 1000 ns 1000 ns 1000 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1
端子数量 16 16 16
字数 256 words 256 words 256 words
字数代码 256 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256X1 256X1 256X1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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