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IRF840

产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共7页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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IRF840概述

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF840规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压500 V
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流8 A
最大漏极导通电阻0.8500 ohm
最大漏电流脉冲32 A

IRF840相似产品对比

IRF840 SIHF840
描述 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3
最小击穿电压 500 V 500 V
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-孔
端子涂层 锡 铅 锡 铅
端子位置 单一的 单一的
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的
壳体连接 DRAIN DRAIN
元件数量 1 1
晶体管应用 开关 开关
晶体管元件材料
通道类型 N沟道 N沟道
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 通用电源 通用电源
最大漏电流 8 A 8 A
最大漏极导通电阻 0.8500 ohm 0.8500 ohm
最大漏电流脉冲 32 A 32 A
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