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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SF59
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SF59

产品描述5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SF59概述

5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

SF59规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)4 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流135 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SF51 - SF59
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 5.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Super fast recovery time
SUPER FAST RECTIFIER DIODES
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.21 grams
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length
Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at I
F
= 5.0 A.
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
Ta = 55
°C
SYMBOL SF51 SF52 SF53 SF54 SF55 SF56 SF57 SF58 SF59 UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
300
210
300
5.0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps.
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
135
0.95
5
50
35
50
- 65 to + 150
- 65 to + 150
1.4
1.7
Amps.
Volts
µA
µA
ns
pf
°C
°C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
T
J
T
STG
Notes :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, Irr = 0.25 A.
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
UPDATE : APRIL 23, 1998

SF59相似产品对比

SF59 SF58 SF57 SF56 SF55 SF54 SF53 SF52 SF51
描述 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 4 V 4 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 0.95 V 0.95 V 0.95 V 0.95 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 135 A 135 A 135 A 135 A 135 A 135 A 135 A 135 A 135 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 1000 V 800 V 600 V 400 V 300 V 200 V 150 V 100 V 50 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - - - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors]

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