SFH 309
SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309
SFH 309 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
q
Hohe Linearität
q
3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)
q
High linearity
q
3 mm LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
01.97
feof6653
feo06653
SFH 309
SFH 309 FA
Typ
Type
SFH 309
SFH 309-3
SFH 309-4
SFH 309-5
SFH 309-6
1)
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P859
Q62702-P997
Q62702-P998
Q62702-P999
Q62702-P1000
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 309 FA
(*SFH 309 F)
SFH 309 FA-2
(*SFH 309 F-2)
SFH 309 FA-3
(*SFH 309 F-3)
SFH 309 FA-4
(*SFH 309 F-4)
SFH 309 FA-5
(*SFH 309 F-5
1)
)
Bestellnummer
Ordering Codes
Q62702-P941
Q62702-P174
Q62702-P176
Q62702-P178
Q62702-P180
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
35
15
75
V
mA
mA
Semiconductor Group
2
SFH 309
SFH 309 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Symbol
Symbol
SFH 309
λ
S max
λ
860
Wert
Value
SFH 309 FA
900
nm
Einheit
Unit
Symbol
Symbol
Wert
Value
165
450
Einheit
Unit
mW
K/W
P
tot
R
thJA
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240
µm)
A
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.2
0.45
×
0.45
2.4 ... 2.8
0.2
0.45
×
0.45
2.4 ... 2.8
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
±
12
5.0
1 (≤ 200)
±
12
5.0
1 (≤ 200)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
Semiconductor Group
3
SFH 309
SFH 309 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 309:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1. 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 mA
25
1.5
4.5
7.2
mA
2.8
5
6
7
8
µs
V
CEsat
200
200
200
200
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
SFH 309
SFH 309 FA
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
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