SFH 325
SFH 325 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT SIDELED
®
-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in
SMT SIDELED
®
-Package
SFH 325
SFH 325 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
q
q
q
q
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA)
Hohe Linearität
P-LCC-2 Gehäuse
Gruppiert lieferbar
nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei
Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
q
q
q
q
380 nm to 1150 nm (SFH 325) and of
880 nm (SFH 325 FA)
High linearity
P-LCC-2 package
Available in groups
Suitable only for reflow IR soldering. In case
of dip soldering, please contact us first.
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
01.97
fplf6867
fpl06867
SFH 325
SFH 325 FA
Typ
Type
SFH 325
SFH 325-3
SFH 325-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1638
Q62702-P1610
Q62702-P1611
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 325 FA
(*SFH 325 F)
SFH 325 FA-3
(*SFH 325 F-3)
SFH 325 FA-4
(*SFH 325 F-4)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1639
Q62702-P1614
Q62702-P1615
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
35
15
75
165
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
Semiconductor Group
2
SFH 325
SFH 325 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Symbol
Symbol
SFH 325
λ
S max
λ
860
Wert
Value
SFH 325 FA
900
nm
Einheit
Unit
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
(∅
240
µm)
A
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.045
0.45
×
0.45
0.5 ... 0.7
0.045
0.45
×
0.45
0.5 ... 0.7
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
±
60
5.0
1 (≤ 200)
±
60
5.0
1 (≤ 200)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
Semiconductor Group
3
SFH 325
SFH 325 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
SFH
325/FA
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 325:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
≥
16
16 ... 32 25 ... 50
≥
40
420
650
7
1000
8
µA
µA
µs
7
6
Kollektor-Emitter-
V
CEsat
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
1)
1)
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
SFH 325
SFH 325 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 325
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity, SFH 325 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(V
CE
),
E
e
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Dark current
I
CEO
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V,
E
= 0
Capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Semiconductor Group
5
电源技术
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
