SFH 507
IR-Empfänger für Fernbedienungen (für kurze Burst)
IR-Receiver for Remote Control Systems (for Short Burst)
31.1
30.1
16.3
15.9
12.9
12.1
Surface not flat
SFH 507
10.3
9.7
V
S
1.5
9.7
8.7
GND
2.54
3x2.54 = 7.62
V
OUT
0.50
3.85
4.45
0.4
0.8 max.
1.7
1.1
R 2.75
0.65
0.50
4.3
3.7
GEX06910
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Empfängermodul für Übertragungsprotokolle
mit kurzen Pulspaketen (N
≥
6 Pulse pro Bit)
q
Fotodiode mit integriertem Verstärker
q
Gehäuse schwarz eingefärbt: Verguß optimiert
für eine Wellenlänge von 950 nm
q
Hohe Störsicherheit
q
Geringe Stromaufnahme (0.5 mA typ.)
q
5 V Betriebsspannung
q
Hohe Empfindlichkeit
q
TTL und CMOS kompatibel
q
Mögliche Datenübertragungsrate 2.4 kbit/s
(
N
= 6,
f
0
= 56 kHz)
Anwendungen
q
Empfänger für IR-Fernsteuerungen
Typ
Type
Trägerfrequ.
Carrier
Frequency
kHz
30
33
36
Bestellnr.
Ordering Code
Features
q
Receiver module for transmission codes
with short bursts (N
≥
6 pulses per bit)
q
Photodiode with hybride integrated circuit
q
Black epoxy resin: daylight filter optimized
for 950 nm
q
High immunity against ambient light
q
Low power consumption (0.5 mA typ.)
q
5 V supply voltage
q
High sensitivity (internal shield case)
q
TTL and CMOS compatibility
q
2.4 kbit/s data transmission possible
(
N
= 6,
f
0
= 56 kHz)
Applications
q
IR-remote control preamplifier module
Typ
Type
Trägerfrequ.
Carrier
Frequency
kHz
38
40
56
Bestellnr.
Ordering Code
SFH 507-30
SFH 507-33
SFH 507-36
Q62702-P1701
Q62702-P1702
Q62702-P1703
SFH 507-38
SFH 507-40
SFH 507-56
1
Q62702-P1704
Q62702-P1705
Q62702-P1822
05.97
Semiconductor Group
fex06841
6.1
5.5
SFH 507
2
Input
Control
Circuit
100 k
Ω
PIN
AGC
Bandpass
Demodulator
1
3
V
S
OUT
GND
OHF02198
Blockschaltbild
Block Diagram
Grenzwerte
(
T
A
= 25°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operation and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature range
Löttemperatur
Lötstelle 1 mm vom Gehäuse; Lötzeit
t
≤
10 s
Soldering temperature
soldering joint
≥
1 mm distance from
package, soldering time
t
≤10
s
Betriebsspannung
Supply voltage
Betriebsstrom
Supply current
Ausgangsspannung
Output voltage
Ausgangsstrom
Output current
Verlustleistung
Total power dissipation
T
A
≤
85
°C
Pin 2
Pin 2
Pin 3
Pin 3
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 25 ... + 85
100
260
Einheit
Unit
°C
°C
°C
T
A
,
T
stg
T
j
T
S
V
S
I
CC
V
OUT
I
OUT
P
tot
– 0.3 ... + 6.0
5
– 0.3 ... + 6.0
5
50
V
mA
V
mA
mW
Semiconductor Group
2
SFH 507
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Betriebsspannung
Supply voltage
Bestrahlungsstärke (Testsignal, s. Figure 2)
Threshold irradiance (test signal, see Fig. 2)
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Halbwinkel
Half angle
Stromaufnahme
Current consumption
V
s
= 5 V,
E
v
= 0
V
s
= 5 V,
E
v
= 40 kIx, sunlight
Ausgangsspannung
Output voltage
I
OUT
= 0.5 mA,
E
e
= 0.7 mW/m
2
(Testsignal, s. Figure 2)
(test signal, see Fig. 2)
1)
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
typ. 5.0
(4.5 ... 5.5)
Einheit
Unit
V
V
S
E
e min(30-40 kHz)
1)
E
e min(56 kHZ)
1)
E
e max
1)
λ
s max
ϕ
Pin 2
typ. 0.4 (< 0.6)
mW/m
2
typ. 0.45 (< 0.7) mW/m
2
30
W/m
2
950
±
45
nm
deg.
I
CC
I
CC
Pin 3
0.5 (< 0.8)
1.0
≤
250
mA
mA
mV
V
OUT low
In Verbindung mit einer typ. SFH 415 bei Betrieb mit
I
F
= 0.5 A wird eine Reichweite von ca. 35 m erreicht.
Together with an IRED SFH 415 under operation conditions of
I
F
= 0.5 A a distance of 35 m is possible.
Semiconductor Group
3
SFH 507
330
Ω
2
*)
+5V
4.7
µ
F
*)
SFH 506/507
>10 k
Ω
optional
3
µ
C
1
*)
GND
OHF02197
only necessary to suppress power supply disturbances
Figure 1 Externe Beschaltung
External circuit
E
e
t
pi
*)
t
T
*)
_
N
<
6 Pulses is recommended for optimal function
V
O
V
OH
V
OL
t
d
1)
1)
2)
t
po
2)
t
4/f
o
<
t
d
< 10/
f
o
OHF00220
t
pi
- 3/
f
o
<
t
po
<
t
pi
+ 6/f
o
Figure 2 Optisches Testsignal (IR-Diode SFH 415,
I
F
= 0.5 A,
N
= 6 pulses,
f
=
f
0
,
T
= 10 ms)
Optical test signal
Semiconductor Group
4
SFH 507
Sensitivity vs. electric field disturbance
E
e min
=
f
(E), field strength of disturbance,
f
=
f
0
1.0
mW/m
2
E
e min
0.8
OHF00217
Vertical directivity
ϕ
y
Sensitivity vs. bright ambient
E
e min
=
f
(E)
10
OHF00246
-10
ϕ
0
1.6
1.4
1.2
10
2
mW/m
2
OHF00215
-20
f
(E) =
f
0
20
E
e min
Correlation with ambient light sources
_
(disturbance effect) : 10 W/m
2
~
1.4 klx
_
~
8.2 klx
(stand. illum. A, T= 2855 K)
(daylight, T = 5900 K)
10
1
0.6
-30
1.0
0.8
30
0.4
-40
f
(E) = 10 kHz
0.6
0.4
0.2
40
50
60
70
80
90
0.6
Ambient,
λ
= 950 nm
10
-1
-50
-60
-70
-80
-90
-0.6
10
0
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
kV/m
2.0
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
10
-2
10
-1
10
0
E
10
1
W/m
2
10
2
E
Relative luminous sensitivity
S
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25
o
C
1.0
OHF02193
Horizontal directivity
ϕ
x
-10
ϕ
Sensitivity vs. supply volt. disturbances,
E
e min
=
f
(∆V
S RMS
)
10
OHF00247
0
1.6
1.4
1.2
10
1
mW/m
2
E
e min
OHF00214
-20
S
rel
0.8
20
f
=
f
0
10 kHz
1 kHz
0.6
-30
1.0
0.8
30
10
0
0.4
-40
-50
0.6
0.4
0.2
40
50
60
70
80
90
0.6
100 Hz
0.2
-60
-70
-80
-90
-0.6
0.0
800 850 900 950 1000 1050 nm 1150
λ
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
10
-1 -2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
mV 10
3
∆
V
s RMS
Output pulse
T
on
,
T
off
= f(E
e
)
1.0
ms
OHF00245
Relative sensitivity
E
e min
/
E
e
=
f
(f
/ f
0
)
f
=
f
0
±
5 %,
∆f
(3 dB) =
f
0
/7
1.0
OHF00219
Sensitivity vs. dark ambient
T
p out
=
f
(E
e
)
300
OHF00216
T
on,
T
off
0.8
E
e min
/
E
e
0.8
µ
s
T
p out
250
T
on
200
0.6
0.6
Input burst duration
T
off
0.4
λ
= 950 nm
0.2
0.2
0.4
150
100
λ
= 950 nm
50
0.0
-1
10
10
0
10
1
10
2
mW/m
2
10
4
E
e
0
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
f
/f
0
0
-1
10
10
0
10
1
10
2
mW/m
2
E
e
10
4
Semiconductor Group
5
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