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NVMFS5C410NWFT3G: 产品描述Single NâChannel Power MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小75KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NVMFS5C410NWFT3G概述

Single NâChannel Power MOSFET

NVMFS5C410NWFT3G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包装代码	488AA
Reach Compliance Code	not_compliant
Factory Lead Time	29 weeks
雪崩能效等级（Eas）	578 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	300 A
最大漏极电流 (ID)	300 A
最大漏源导通电阻	0.00092 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	70 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-F5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	166 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	900 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

NVMFS5C410NWFT3G相似产品对比

	NVMFS5C410NWFT3G	NVMFS5C410N	NVMFS5C410NT1G	NVMFS5C410NT3G	NVMFS5C410NWFT1G	NVMFS5C410NWFAFT1G	NVMFS5C410NAFT1G	NVMFS5C410NWFAFT3G	NVMFS5C410NAFT3G
描述	Single NâChannel Power MOSFET	Single NâChannel Power MOSFET	Single NâChannel Power MOSFET	Single NâChannel Power MOSFET	Single NâChannel Power MOSFET	MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN	MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN	MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN	MOSFET N-CH 40V 46A 300A 5DFN
Brand Name	ON Semiconductor	-	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	-	-
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	-
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	-	-
制造商包装代码	488AA	-	488AA	488AA	488AA	488AA	488AA	-	-
Reach Compliance Code	not_compliant	-	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	-	-
Factory Lead Time	29 weeks	-	29 weeks	29 weeks	29 weeks	7 weeks	5 weeks	-	-
雪崩能效等级（Eas）	578 mJ	-	578 mJ	578 mJ	578 mJ	578 mJ	578 mJ	-	-
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
最小漏源击穿电压	40 V	-	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	-	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	300 A	-	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	-	-
最大漏极电流 (ID)	300 A	-	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	-	-
最大漏源导通电阻	0.00092 Ω	-	0.00092 Ω	0.00092 Ω	0.00092 Ω	0.00092 Ω	0.00092 Ω	-	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-
最大反馈电容 (Crss)	70 pF	-	70 pF	70 pF	70 pF	70 pF	70 pF	-	-
JESD-30 代码	R-PDSO-F5	-	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	-	-
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3	e3	e3	-	-
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元件数量	1	-	1	1	1	1	1	-	-
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工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	-	-
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-
最大功率耗散 (Abs)	166 W	-	166 W	166 W	166 W	166 W	166 W	-	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	900 A	-	900 A	900 A	900 A	900 A	900 A	-	-
参考标准	AEC-Q101	-	AEC-Q101	AEC-Q101	AEC-Q101	AEC-Q101	AEC-Q101	-	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	-	-
端子面层	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	-
端子形式	FLAT	-	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	-	-
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	-
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-

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