71V2576S183BG,71V2576S183BG pdf中文资料,71V2576S183BG引脚图,71V2576S183BG电路-Datasheet-电子工程世界

71V2576S183BG: 产品描述PBGA-119, Tray; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共18页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71V2576S183BG概述

PBGA-119, Tray

71V2576S183BG规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1164070645
零件包装代码	PBGA
包装说明	BGA-119
针数	119
制造商包装代码	BG119
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.3 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	3.14 V
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

71V2576S183BG相似产品对比

	71V2576S183BG	71V2576S200PF	71V2578S166BG	71V2578S166PF	71V2578S183PF	71V2578S200BG	71V2576S166PF	71V2576S183PF	IDT71V2576S183BG
描述	PBGA-119, Tray	TQFP-100, Tray	PBGA-119, Tray	TQFP-100, Tray	TQFP-100, Tray	PBGA-119, Tray	TQFP-100, Tray	TQFP-100, Tray	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	PBGA	TQFP	PBGA	TQFP	TQFP	PBGA	TQFP	TQFP	BGA
包装说明	BGA-119	PLASTIC, TQFP-100	BGA-119	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100	BGA-119	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100	14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
针数	119	100	119	100	100	119	100	100	119
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	not_compliant
最长访问时间	3.3 ns	3.1 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.3 ns	3.1 ns	3.5 ns	3.3 ns	3.3 ns
最大时钟频率 (fCLK)	183 MHz	200 MHz	166 MHz	166 MHz	183 MHz	200 MHz	166 MHz	183 MHz	183 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B119	R-PQFP-G100	S-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	S-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	18	18	18	18	36	36	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	100	119	100	100	119	100	100	119
字数	131072 words	131072 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	256000	256000	256000	256000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX36	128KX36	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP	BGA	QFP	QFP	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK	GRID ARRAY	FLATPACK	FLATPACK	GRID ARRAY	FLATPACK	FLATPACK	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225	NOT SPECIFIED
电源	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	0.635 mm	1.27 mm	0.635 mm	0.635 mm	1.27 mm	0.635 mm	0.635 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	-
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-
制造商包装代码	BG119	PK100	BG119	PK100	PK100	BG119	PK100	PK100	-
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-
最大待机电流	-	0.02 A	0.02 A	0.02 A	-	0.02 A	0.02 A	-	-
最大压摆率	-	0.36 mA	0.32 mA	0.32 mA	-	0.36 mA	0.32 mA	-	-

71V2576S183BG

71V2576S183BG概述

71V2576S183BG规格参数

71V2576S183BG相似产品对比

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