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71V2578S166PF

产品描述TQFP-100, Tray
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文件大小1MB,共18页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V2578S166PF概述

TQFP-100, Tray

71V2578S166PF规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码TQFP
包装说明PLASTIC, TQFP-100
针数100
制造商包装代码PK100
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间3.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度4718592 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

71V2578S166PF相似产品对比

71V2578S166PF 71V2576S200PF 71V2578S166BG 71V2578S183PF 71V2578S200BG 71V2576S166PF 71V2576S183PF IDT71V2576S183BG 71V2576S183BG
描述 TQFP-100, Tray TQFP-100, Tray PBGA-119, Tray TQFP-100, Tray PBGA-119, Tray TQFP-100, Tray TQFP-100, Tray Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 PBGA-119, Tray
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TQFP TQFP PBGA TQFP PBGA TQFP TQFP BGA PBGA
包装说明 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100 BGA-119 PLASTIC, TQFP-100 BGA-119 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 BGA-119
针数 100 100 119 100 119 100 100 119 119
Reach Compliance Code _compli not_compliant _compli _compli _compli _compli _compli not_compliant not_compliant
最长访问时间 3.5 ns 3.1 ns 3.5 ns 3.3 ns 3.1 ns 3.5 ns 3.3 ns 3.3 ns 3.3 ns
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 200 MHz 166 MHz 183 MHz 200 MHz 166 MHz 183 MHz 183 MHz 183 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 S-PBGA-B119 R-PQFP-G100 S-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 S-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4718592 bi 4718592 bit 4718592 bi 4718592 bi 4718592 bi 4718592 bi 4718592 bi 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM CACHE SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 36 18 18 18 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 119 100 119 100 100 119 119
字数 262144 words 131072 words 262144 words 262144 words 262144 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 256000 128000 256000 256000 256000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX18 128KX36 256KX18 256KX18 256KX18 128KX36 128KX36 128KX36 128KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP QFP BGA QFP BGA QFP QFP BGA BGA
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK GRID ARRAY FLATPACK GRID ARRAY FLATPACK FLATPACK GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225 NOT SPECIFIED 225
电源 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V 2.5,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 GULL WING GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING GULL WING BALL BALL
端子节距 0.635 mm 0.635 mm 1.27 mm 0.635 mm 1.27 mm 0.635 mm 0.635 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD QUAD BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology - Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - -
制造商包装代码 PK100 PK100 BG119 PK100 BG119 PK100 PK100 - BG119
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE - PIPELINED ARCHITECTURE
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A - 0.02 A 0.02 A - - -
最大压摆率 0.32 mA 0.36 mA 0.32 mA - 0.36 mA 0.32 mA - - -
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