54FCT823AL概述

Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, CQCC28

54FCT823AL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1126070111
包装说明	QCCN, LCC28,.45SQ
Reach Compliance Code	not_compliant
JESD-30 代码	S-XQCC-N28
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	JBAR-KBAR FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	71400000 Hz
最大I（ol）	0.032 A
功能数量	9
端子数量	28
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC28,.45SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	11.5 ns
认证状态	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
触发器类型	POSITIVE EDGE

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54FCT823AL相似产品对比

	54FCT823AL	IDT74FCT823CJ	IDT74FCT823CTJ	IDT74FCT823BJ	IDT74FCT823AJ	IDT74FCT823ATJ	IDT74FCT823BPQ	IDT74FCT823BTJ	74FCT823BPQ
描述	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, CQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PDIP24	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PDIP24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
JESD-30 代码	S-XQCC-N28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	R-PDIP-T24	S-PQCC-J28	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	71400000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz	71400000 Hz	71400000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz
最大I（ol）	0.032 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A
功能数量	9	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	28	28	28	28	28	28	24	28	24
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCN	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	DIP	QCCJ	DIP
封装等效代码	LCC28,.45SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	DIP24,.3	LDCC28,.5SQ	DIP24,.3
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	11.5 ns	6 ns	6 ns	7.5 ns	10 ns	10 ns	7.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	30	NOT SPECIFIED	30
触发器类型	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	-
湿度敏感等级	-	1	1	1	1	1	-	1	-

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