IDT74FCT823BPQ概述

Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PDIP24

IDT74FCT823BPQ规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
JESD-30 代码	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	JBAR-KBAR FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	83300000 Hz
最大I（ol）	0.048 A
功能数量	9
端子数量	24
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	7.5 ns
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
触发器类型	POSITIVE EDGE

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	IDT74FCT823BPQ	IDT74FCT823CJ	IDT74FCT823CTJ	IDT74FCT823BJ	IDT74FCT823AJ	IDT74FCT823ATJ	IDT74FCT823BTJ	54FCT823AL	74FCT823BPQ
描述	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PDIP24	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	D Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, CQCC28	Jbar-Kbar Flip-Flop, 9-Func, Positive Edge Triggered, CMOS, PDIP24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
JESD-30 代码	R-PDIP-T24	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28	S-XQCC-N28	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP	JBAR-KBAR FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	83300000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz	83300000 Hz	71400000 Hz	71400000 Hz	83300000 Hz	71400000 Hz	83300000 Hz
最大I（ol）	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.048 A	0.032 A	0.048 A
功能数量	9	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	24	28	28	28	28	28	28	28	24
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCN	DIP
封装等效代码	DIP24,.3	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LDCC28,.5SQ	LCC28,.45SQ	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	7.5 ns	6 ns	6 ns	7.5 ns	10 ns	10 ns	7.5 ns	11.5 ns	7.5 ns
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED	30	30
触发器类型	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE
湿度敏感等级	-	1	1	1	1	1	1	-	-
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-

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