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OPA659IDRBR

产品描述650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40 to 85
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共36页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到3个与OPA659IDRBR功能相似器件
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OPA659IDRBR概述

650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40 to 85

OPA659IDRBR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SON
包装说明HVSON, SOLCC8,.12,25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptiOPERATIONAL AMPLIFIER
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00005 µA
最小共模抑制比68 dB
标称共模抑制比70 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.0000025 µA
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
负供电电压上限-6.5 V
标称负供电电压 (Vsup)-6 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.12,25
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-3.5/+-6.5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
标称压摆率2550 V/us
最大压摆率32 mA
供电电压上限6.5 V
标称供电电压 (Vsup)6 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽650000 kHz
最小电压增益280
宽带YES
宽度3 mm

OPA659IDRBR相似产品对比

OPA659IDRBR OPA659IDBVR OPA659IDRBT
描述 650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40 to 85 650MHz unity gain stable JFET input amplifier 5-SOT-23 -40 to 85 650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SON SOT-23 SON
包装说明 HVSON, SOLCC8,.12,25 LSSOP, TSOP5/6,.11,37 VSON-8
针数 8 5 8
Reach Compliance Code compli compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00005 µA 0.00005 µA 0.0032 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00005 µA 0.00005 µA 0.00005 µA
最小共模抑制比 68 dB 68 dB 68 dB
标称共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.0000025 µA 0.0000025 µA 0.0000025 µA
最大输入失调电压 5000 µV 5000 µV 5000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-N8 R-PDSO-G5 S-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e4 e4
长度 3 mm 2.9 mm 3 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 NO NO NO
湿度敏感等级 2 2 2
负供电电压上限 -6.5 V -6.5 V -6.5 V
标称负供电电压 (Vsup) -6 V -6 V -6 V
功能数量 1 1 1
端子数量 8 5 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON LSSOP HVSON
封装等效代码 SOLCC8,.12,25 TSOP5/6,.11,37 SOLCC8,.12,25
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法 TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
功率 NO NO NO
电源 +-3.5/+-6.5 V +-3.5/+-6.5 V +-3.5/+-6.5 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1.45 mm 1 mm
标称压摆率 2550 V/us 2550 V/us 2550 V/us
最大压摆率 32 mA 32 mA 32 mA
供电电压上限 6.5 V 6.5 V 6.5 V
标称供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V
表面贴装 YES YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD GULL WING NO LEAD
端子节距 0.65 mm 0.95 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 650000 kHz 650000 kHz 650000 kHz
最小电压增益 280 280 280
宽带 YES YES YES
宽度 3 mm 1.6 mm 3 mm
Samacsys Descripti OPERATIONAL AMPLIFIER Wideband, Unity-Gain Stable, JFET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER -

与OPA659IDRBR功能相似器件

器件名 厂商 描述
OPA659IDRBT Texas Instruments(德州仪器) 650MHz unity gain stable JFET input amplifier 8-SON -40 to 85
OPA653IDRBT Texas Instruments(德州仪器) 500MHz, Fixed Gain of +2V/V, JFET input amplifier 8-SON -40 to 85
OPA653IDRBR Texas Instruments(德州仪器) High Speed Operational Amplifiers 500MHz,Fixed Gain +2V/V,JFET inp Amp

 
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