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SGSIF444: 产品描述HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小80KB，共7页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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SGSIF444概述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS

SGSIF444规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
Reach Compliance Code	compli
其他特性	HOLLOW-EMITTER
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	7 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	5
JEDEC-95代码	TO-218
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	55 W
最大功率耗散 (Abs)	43 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	3800 ns
最大开启时间（吨）	1200 ns
VCEsat-Max	1.5 V

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SGSIF344

SGSIF444

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTORS

SGSIF344 IS SGS-THOMSON PREFERRED

SALESTYPE

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

VERY HIGH SWITCHING SPEED

LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS

APPLICATIONS:

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR

TVS AND MONITORS

DESCRIPTION

The SGSIF344 and SGSIF444 are manufactured

using Multiepitaxial Mesa technology for

cost-effective high performance and uses a

Hollow Emitter structure to enhance switching

speeds.

These transistors are available in ISOWATT220

and ISOWATT218 plastic package respectively.

The SGSF series is designed for high speed

switching applications such as power supplies

and horizontal deflection circuits in TVs and

monitors.

ISOWATT220

ISOWATT218

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symb ol

CES

CEO

EBO

tot

s tg

June 1997

Parameter

SGSIF344

Collector-Emitter Voltage (V

= 0)

Collector-Emitter Voltage (I

= 0)

Emitter-Base Voltage (I

= 0)

Collector Current

Collector Peak Current (t

< 5 ms)

Base Current

Base Peak Current (t

< 5 ms)

T otal Dissipation at T

= 25 C

Storage Temperature

Max. Operating Junction T emperature

1200

600

-65 to 150

150

Valu e

SGSIF 444

Un it

1/7

SGSIF444相似产品对比

	SGSIF444	SGSIF344
描述	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS
是否Rohs认证	不符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli
其他特性	HOLLOW-EMITTER	HOLLOW-EMITTER
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	7 A	7 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V
配置	SINGLE	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-218	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN
功耗环境最大值	55 W	40 W
最大功率耗散 (Abs)	43 W	40 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	3800 ns	3800 ns
最大开启时间（吨）	1200 ns	1200 ns
VCEsat-Max	1.5 V	1.5 V

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