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MMBTA06_15

产品描述EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
文件大小362KB,共3页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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MMBTA06_15概述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURE
・Complementary
to MMBTA56.
MMBTA06
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
L
E
B
L
2
A
G
H
3
1
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Emitter Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
stg
RATING
80
80
6
500
-500
350
150
-55½150
UNIT
V
V
K
Q
P
P
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
0.1 MAX
C
N
M
V
mA
mA
mW
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10×8×0.6mm.
Marking
Lot No.
Type Name
ADX
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
h
FE
(2)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
V
CE(sat)
V
BE
f
T
V
CE
=1V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=2V, I
C
=10mA
100
-
-
100
-
-
-
-
-
0.25
1.2
-
V
V
MHz
SYMBOL
I
CBO
I
CEO
V
(BR)CEO
h
FE
(1)
TEST CONDITION
V
CB
=80V, I
E
=0
V
CE
=60V, I
B
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
V
CE
=1V, I
C
=10mA
MIN.
-
-
80
100
TYP.
-
-
-
-
MAX.
100
100
-
-
UNIT
nA
nA
V
2003. 7. 21
Revision No : 3
J
D
1/2

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