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GBU810: 产品描述8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小144KB，共4页; 制造商ETC2

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8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

8 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

	GBU810	GBU802	GBU804	GBU806	GBU808
描述	8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
端子数量	4	-	-	4	4
元件数量	4	-	-	4	4
最小击穿电压	1000 V	-	-	600 V	800 V
最大平均输入电流	8 A	-	-	8 A	8 A
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, 塑料, GBU, 4 PIN	-	-	ROHS COMPLIANT, 塑料, GBU, 4 PIN	ROHS COMPLIANT, 塑料, GBU, 4 PIN
欧盟RoHS规范	Yes	-	-	Yes	Yes
状态	ACTIVE	-	-	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	矩形的	-	-	矩形的	矩形的
包装尺寸	凸缘安装	-	-	凸缘安装	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔	-	-	THROUGH-孔	THROUGH-孔
端子涂层	MATTE 锡	-	-	MATTE 锡	MATTE 锡
端子位置	单一的	-	-	单一的	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂	-	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	桥, 4 ELEMENTS	-	-	桥, 4 ELEMENTS	桥, 4 ELEMENTS
壳体连接	隔离	-	-	隔离	隔离
二极管元件材料	硅	-	-	硅	硅
二极管类型	桥式整流二极管	-	-	桥式整流二极管	桥式整流二极管
相数	1	-	-	1	1
最大重复峰值反向电压	1000 V	-	-	600 V	800 V
最大非重复峰值正向电流	200 A	-	-	200 A	200 A

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W