180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
参数名称 | 属性值 |
最小击穿电压 | 100 V |
端子数量 | 3 |
加工封装描述 | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
each_compli | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | Active |
额定雪崩能量 | 318 mJ |
壳体连接 | DRAIN |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
drain_current_max__abs___id_ | 180 A |
最大漏电流 | 180 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0047 ohm |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
jedec_95_code | TO-262AA |
jesd_30_code | R-PSIP-T3 |
jesd_609_code | e3 |
moisture_sensitivity_level | 1 |
元件数量 | 1 |
操作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最大工作温度 | 175 Cel |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | IN-LINE |
eak_reflow_temperature__cel_ | 260 |
larity_channel_type | N-CHANNEL |
wer_dissipation_max__abs_ | 375 W |
最大漏电流脉冲 | 720 A |
qualification_status | COMMERCIAL |
sub_category | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFSL4010PBF | IRFS4010PBF | |
---|---|---|
描述 | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
端子数量 | 3 | 2 |
元件数量 | 1 | 1 |
表面贴装 | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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