UPD48288236FF-EF33-DW1-A,UPD48288236FF-EF33-DW1-A pdf中文资料,UPD48288236FF-EF33-DW1-A引脚图,UPD48288236FF-EF33-DW1-A电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> UPD48288236FF-EF33-DW1-A

UPD48288236FF-EF33-DW1-A: 产品描述DDR DRAM; 产品类别存储存储; 文件大小856KB，共50页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

UPD48288236FF-EF33-DW1-A概述

DDR DRAM

UPD48288236FF-EF33-DW1-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1277592854
包装说明	BGA, BGA144,12X18,40/32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	4 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B144
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	36
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
组织	8MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
电源	1.5,1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified
连续突发长度	2,4
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

UPD48288236FF-EF33-DW1-A相似产品对比

	UPD48288236FF-EF33-DW1-A	UPD48288218FF-E33-DW1-A	UPD48288218FF-EF25-DW1-A	UPD48288218FF-EF33-DW1-A	UPD48288236FF-E33-DW1-A	UPD48288209FF-EF25-DW1-A	UPD48288209FF-E33-DW1-A	UPD48288236FF-EF25-DW1-A	UPD48288209FF-EF33-DW1-A
描述	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	BGA, BGA144,12X18,40/32	TBGA, BGA144,12X18,40/32	BGA, BGA144,12X18,40/32	BGA, BGA144,12X18,40/32	TBGA, BGA144,12X18,40/32	BGA, BGA144,12X18,40/32	TBGA, BGA144,12X18,40/32	BGA, BGA144,12X18,40/32	BGA, BGA144,12X18,40/32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz	300 MHz	400 MHz	300 MHz	300 MHz	400 MHz	300 MHz	400 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144	R-PBGA-B144
内存密度	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	36	18	18	18	36	9	9	36	9
端子数量	144	144	144	144	144	144	144	144	144
字数	8388608 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	8388608 words	33554432 words	33554432 words	8388608 words	33554432 words
字数代码	8000000	16000000	16000000	16000000	8000000	32000000	32000000	8000000	32000000
组织	8MX36	16MX18	16MX18	16MX18	8MX36	32MX9	32MX9	8MX36	32MX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	TBGA	BGA	BGA	TBGA	BGA	TBGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32	BGA144,12X18,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY
电源	1.5,1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.5,1.8,2.5 V	1.5,1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.5,1.8,2.5 V	1.8,2.5 V	1.5,1.8,2.5 V	1.5,1.8,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm	1 mm	0.8 mm	1 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Objectid	1277592854	-	-	-	-	1277592847	1277592846	1277592853	1277592848
ECCN代码	EAR99	-	-	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
连续突发长度	2,4	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4	-	-	2,4	-

推荐资源

關於達靈頓: 剛我送訊號給達靈頓電路把它變成開關那是不是會有12V電輸出可是我量只有低於4V輸出...; tony20187 51单片机

涉嫌垄断成英特尔的绊脚石 AMD欲诉其抑制竞争: 1月10日，纽约总检察长安德鲁?库墨(Andrew Cuomo)开始对英特尔展开调查，确认其是否通过不正当手段打压对手AMD，以及是否因此触犯了联邦反垄断法。　　在与英特尔漫长的反垄断纠纷中，AMD终于赢得了纽约总检察长的支持，促使他对英特尔展开一轮调查。不过这项指控要想胜诉，恐怕要颇费一番周折才行。　　纽约总检察长安德鲁?库墨已经向英特尔和AMD发出了调查传票，试图利用所获得的信息证明英特尔非法...; open82977352 产业风云

完成CCS v5中烧写Flash记录: 环境：Win7 + CCS v5 +XDS100v2仿真器 + TMS320CF2812芯片烧写方法：将SRAM.cmd替换成FLASH.cmd。一个通用的用于F2812的FLASH.cmd 例子为MEMORY{PAGE 0 :OTP: origin = 0x3D7800, length = 0x000800FLASHJ: origin = 0x3D8000, length = 0x002000F...; fish001 微控制器 MCU

FAQ_ BlueNRG 系列 DTM 介绍: 本文作者：ST工程师Lucien KUANG点击下载pdf文档查看：关键词：DTM , BlueNRG问题：客户经常问我你们的DTM怎么使用？有哪些功能ST工程师解答: BlueNRG 的DTM 不仅仅是用来测试RF相关的一些参数，所有BLE相关的功能，在DTM上都可以实现。好多人做BLE模块喜欢使用写一个透传例子来弄，但这样实际很容易将实际应用程序和蓝牙模块捆绑，并不方便通用，合适的是应该直接使...; nmg 意法半导体-低功耗射频

过儿生日快乐: 顺带BS村长！！...; wt1121 嵌入式系统

示波器开发，不知如何下手？: 我想做个示波器里面要保存大概500个波形，显示采用液晶显示器时间采样单位是微秒级别的。采用什么芯片啊？板子我们公司没人做？能找到外协么？我对嵌入式不是太熟悉高手们指点下，怎么开始做啊？要自己买个开发板么？...; wuh2003 嵌入式系统

当今社会下我们对医疗机器人的疯狂渴望

（文章来源：机器人内参）人民日报正式发文坐实12月24日6时许，北京市朝阳区民航总医院发生一起患者家属伤医事件，该院急诊科副主任医师杨文在正常诊疗中，遭到一位患者家属的恶性伤害，致颈部严重损伤目前确定不治身亡。目前，犯罪嫌疑人已被批捕。医生介绍，杨文医生遇害后，患者家属没有表现出任何愧疚，没有任何道歉的话。但是医务人员仍然尽心尽力地为患者治疗。短短几句话几次引人泪目。暴力伤医再一次...[详细]
工程师分享：正确选择数字隔离器的三要素

　　多年来，工业、医疗和其他隔离系统的设计人员实现安全隔离的手段有限，唯一合理的选择是光耦合器。如今，数字隔离器在性能、尺寸、成本、效率和集成度方面均有优势。了解数字隔离器三个关键要素的特点及其相互关系，对于正确选择数字隔离器十分重要。这三个要素是：绝缘材料、结构和数据传输方法。　　设计人员之所以引入隔离，是为了满足安全法规或者降低接地环路的噪声等。电流隔离确保数据传输不是通过电气连接或泄漏路...[详细]
三星开始量产12GB LPDDR4X手机内存

集微网消息（文/ANSON），三星最近已开始量产用于手机的12GB LPDDR4X内存，据了解该系列内存很有可能会首先用于Galaxy S10 5G上。需要指出的是，三星之前已经量产过了12GB RAM LPDDR4芯片，而近日量产的则是新一代的LPDDR4X芯片，它们的区别在于新的12GB LPDDR4X 内存采用了10nm工艺，通过将六组16Gb LPDDR4X芯片叠加制成。而先...[详细]
R&S宣布新版无线通信制造测试仪

罗德史瓦兹(R&S)宣布新版的CMW100无线通信制造测试仪在5G NR 6 GHz以下的测试已准备就绪。 R&S行动无线量测部副总裁Anton Messmer表示，在5G网络演进这条路上将会广泛采用各种不同的频段。利用6GHz以下的频段是成功部署可靠网络覆盖的决定性因素。 R&S CMW100无线通信制造测试仪足可证明R&S在支持5G NR sub-6 GHz的能力，并有助于加速5G生态系统...[详细]
TEA1504开关电源低功耗控制IC

摘要：介绍了Philips公司开发的Green Chip TM绿色芯片TEA1504的内部结构及工作原理，该控制芯片集成了开关电源的PWM控制、高低频模式转换、栅极驱动和保护等功能，同时上有瞬态响应快，启动电流过冲小，待机功耗低等特点。关键词：开关电源 TEA1504 脉宽调制低功耗 1 前言开关电源以其供电效率高，稳压范围大，体积小被越来越多的电子电器设备所采用，在大屏幕电视机、监...[详细]
如何使用LabView调用DLL

本人使用LabView8.2来调用自己编写的DLL，其中DLL是上篇文章编写的。首先新建一个VI，Ctrl+E切换到后面板，选择互联接口-〉库与可执行程序-〉调用库函数在后面板空白处单击，生成双击后修改设置：选择函数面板，在路径中选择DLL的相应位置，函数名是 fun ，线程是在VI线程中运行，调用规范是 C 如图然后选择参数面板右侧函数名...[详细]
自动驾驶汽车上激光雷达的未来

　　与普遍的看法相反，自动驾驶尚未实现几年前承诺的结果。不幸的是，感官、光学、定性和时序层面的许多问题对传统 LiDAR 的性能产生了负面影响。　　尽管如此，许多公司仍在不断改进他们的方法和技术，并且已经在市场上看到了出色的结果。其中一家公司 Baraja 已为多项技术申请了专利，这些技术将显着改善自动驾驶汽车的未来。　　激光雷达的挑战　　自动驾驶领域仍处于起步阶段，汽车要像人类一...[详细]
PIC单片机入门教程（二）—— 安装集成开发环境

教程中使用的电脑运行Windows 10 专业版 64位系统 1、下载 MPLAB X IDE v4.05 历史版本：http://www.microchip.com/development-tools/pic-and-dspic-downloads-archive 注：截至2018-06-10，MPLAB X IDE 最新版本是v4.15，v4.15版本在离线使用时，每次管理项目属...[详细]
国网浙江电力加快建设新型电力系统省级示范区

中国储能网讯： 4月18日，在浙江海宁市尖山新区绿色低碳工业园示范区，光伏发电项目所发的电能全部就地消纳。园区自去年6月30日上线源网荷储协调控制系统以来，线损率下降了约1个百分点。“现在该系统已升级为新一代配电自动化系统，今年将有312家企业与居民屋顶光伏发电项目接入。”海宁市供电公司电力调度控制分中心负责人介绍。今年，国网浙江省电力有限公司依靠政策赋能、丰富储能类型、科学用能、...[详细]
高通汽车芯片研发中心落地成都，推进自动驾驶和智能驾舱等产品领域研发

3月29日，2023 成都市招商引智重大项目集中签约仪式在当日举行。投资成都消息显示，本次活动共签约重大项目和顶尖人才团队 33 个，投资总额达 1042.3 亿元，包括高通汽车芯片研发中心、青岛创新奇智工业机器人创新中心暨高技能人才培育基地等项目。据介绍，高通成都研发中心项目是高通公司首次在四川落地的研发机构，将与高通汽车产业链上下游协同合作，共同推进自动驾驶和智能驾舱等产品领域...[详细]
一种多功能发动机转速模拟器的设计

信号发生器作为电控测量系统中应用最为普通的电控测量仪器之一，是工业控制、教学、科研常用的基本仪器。虽然市场上逐渐出现了各种信号发生器，但其仍然摆脱不了体积大、操作按钮多、价格昂贵等缺点，给动力系统工程人员外出调试和检修电控设备带来了不便。考虑到诸多因素，很有必要研制一种结构简单、携带和使用方便的多功能发动机转速模拟器。它能在不启动发动机的情况下，模拟产生并输出供现场所需的转速(频率)信号、给定电流...[详细]
机器人代替人类职业的概率排行榜

人类会被机器人取代吗？难说。但眼前，我们只谈谈当下。在这个时代，做什么工作最有可能被机器人淘汰？干什么最不容易被淘汰？BBC基于剑桥大学研究者MichaelOsborne和CarlFrey的数据体系分析了365中职业在未来的“被淘汰概率”。虽说他们分析的仅仅是这些职业在英国的前景，所基于的也不过是本土的数据。但从这些概率中，我们可以得出两个基本的结论：如果你的工作包含以下三类技能要求，...[详细]
iPhone 8保护壳曝光还好没有这个功能

下个月，苹果即将召开新品发布会，iPhone 8真的离我们越来越近了。近日，微博网友@搞机圈的那些事曝光了一组iPhone 8的硅胶保护壳，从图中看，我们之前曝光的竖排双摄设计已经板上钉钉，另外在保护壳背部没有开孔，这也证实了iPhone 8将不具有后置指纹识别。 iPhone 8硅胶保护壳　　根据曝光图，硅胶保护壳颜色总共有五种，非常年轻化。分别为黑色、橘粉色、紫色、冰海蓝色和花粉黄...[详细]
藉新一代重载连接器，TE联手TTI发力中国工业应用市场

关注连接器行业的人士都知道，全球连接器领导者之一的TE去年8月宣布收购厦门西霸士（SIBAS）连接器有限公司，旨在拓宽其为恶劣环境下提供连接解决方案的产品范围，瞄准发展空间巨大的工业和智能控制市场。如今这项交易已全部完成，双方相关团队通力合作，资源整合，于不久前正式面向中国市场率先发布本地升级版重载连接器，并携手全球最大的被动元件、分立器件、连接器和机电组件（IP&E）专业授权分销商TTI作为战...[详细]
9月再破纪录！激光雷达狂飙

激光雷达的前装市场，正经历最甜蜜时刻。本周，高工智能汽车研究院发布最新数据显示，今年第三季度，中国市场（不含进出口）乘用车前装标配交付激光雷达42.34万颗，首次实现季度交付超40万颗；同时，9月单月交付也再次创造新高点，仅用不到半年时间实现从单月10万颗到15万颗的跨越。今年以来，全球激光雷达市场出现分化局面，由于海外车企导入速度较慢导致Luminar、Innoviz等初创公司陷入...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多