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UPD48288109AFF-E25-DW1-A

产品描述DDR DRAM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共52页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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UPD48288109AFF-E25-DW1-A概述

DDR DRAM

UPD48288109AFF-E25-DW1-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1220512432
包装说明TBGA, BGA144,12X18,40/32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO REFRESH; IT ALSO REQUIRES AT 2.5V
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型SEPARATE
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B144
长度18.5 mm
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织32MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA144,12X18,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.17 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度11 mm
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