Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 3.0SMCJ110_R1_00001

文档预览

3.0SMCJ110_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小168KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

3.0SMCJ110_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

3.0SMCJ110_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	SMC, 2 PIN
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
最大击穿电压	154.5 V
最小击穿电压	122 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	110 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

3.0SMCJ110_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

3.0SMCJ SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PEAK PULSE POWER 3000 Watts

STAND-OFF VOLTAGE

5 to 220 Volts

Recongnized File # E210467

FEATURES

0.128(3.25)

• For surface mounted applications in order to optimize board space

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

0.108(2.75)

0.280(7.11)

0.260(6.60)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.103(2.62)

0.079(2.00)

MECHANICAL DATA

•

Case: JEDEC DO-214AB,Molded plastic over passivated junction.

Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Standard Packaging: 16mm tape (EIA-481)

Weight: 0.008 ounce, 0.23 gram

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.320(8.13)

0.305(7.75)

0.008(0.203)

0.002(0.051)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types 3.0SMCJ5.0 thru types 3.0SMCJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000μs waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

θJA

STG

Value

3000

200

see Table 1

-55 to +150

0.245(6.22)

0.220(5.59)

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C

per Fig. 2.

2.Mounted on 8mm

( .013mm thick) land areas.

3.Measured on 8.3ms , single half sine-wave or equivalent square wave , duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4.A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 2,2012-REV.10

PAGE . 1

推荐资源

7寸上网本wince5.0系统的输入法: 小弟的输入法切换不出来了，原来是用ctrl+space切换的，现在没法切换，只能输英文，求DX帮忙。系统默认的是微软拼音3.0和US，两个之间切换可用alt+shift，但切换到微软拼音无法弹出横条，只能输 ......; 筱凡天下嵌入式系统

函数信号发生器设计的思想与实现: 　　函数信号发生器设计目的　　为进一步掌握电路的基本理论及实验调试技术，熟练应用所学的电路设计原理知识，根据各种电子元件设计一个能够可以产生多种波形的函数信号发生器。　　函数 ......; sairvee 测试/测量

谁能说说笔记本上的Fn+Fx的实现么: 我只知道Fn+Fx会生成一个Scancode,但是如果ScanCode在不同键盘下是同定义的,如何才能知道按下Fn+Fx是发送了哪个ScanCode? 环境:XP Sp2/Vista Sp1 English ,Visual Studio 2008 机器:Thinkpad ......; rhpozyz 嵌入式系统

汉字滚动的程序--显示出错在8*8的点阵中但是显示的是4个字，而且第四个字未知: --8*8点阵扫描控制模块--汉字滚动显示 library ieee; use ieee.std_logic_1164.all; use ieee.std_logic_arith.all; use ieee.std_logic_unsigned.all; entity led_88 is port ( ......; zixuancpld FPGA/CPLD

MSP430 硬件I2C 中断法始终调不通，求助！！！: MSP430F5x单片机硬件I2C通过中断的方式对AT24C02进行读写代码如下： #include "msp430.h" typedef unsigned char uint8; uint8 test_buf1 = {'H','E','L','L','O','Y','O','U',0,0}; ......; xuchaojiecarl 微控制器 MCU

MSP430F149数字频率计设计: MSP430F149数字频率计设计 218326 ...; Jacktang 微控制器 MCU

华润微电子斥资1亿元收购6英寸半导体设备

华润微电子公布，以现金代价1亿元人民币，将收购一家国际企业于中国国内合资公司的6英寸半导体制造设备，预期可进一步提升其产能及技术水平，同时亦有助于该集团拓展其客户基础并进军更大型市场。此外，华润微电子控股公司华润集团正与该国际企业展开磋商，拟订立一份有条件特许相关协议，转让若干技术至华润集团的8英寸晶圆生产线，而华润微电子则间接拥有该8英寸晶圆生产线19%股权。华润微电...[详细]
NEPCON扫描：SMT设备商继续加大在华投资

每年4月，一年一度的上海NEPCON都会如期而至。尽管今年展会的面积缩水不少，但在目前的形势下仍然肯在营销上付出成本的厂商应该都是对中国市场寄予厚望的。借用Intel的话说：“经济衰退也不能减慢投资，因为企业参加的是‘马拉松’比赛，更要重视长期策略。”上述言论放在电子生产设备商身上也一样适用。纵观此次NEPCON，一些厂商非但没有减慢对中国的投资策略，反倒进一步伸长了进入这个市场的触角。以...[详细]
碳芯片技术是否准备迈向商业化？

市场研究机构Gartner资深分析师DeanFreeman认为，在碳科技中已经最接近商业化的，就是发展时间已经超过15年的钻石。钻石是三维架构的碳，根据供应硅晶圆片上40纳米(nm)~15微米(micron)钻石薄膜的厂商指出，其散热效率是硅的10倍。二维架构的碳，是厚度3埃(angstrom)的单分子层，又称为石墨烯(graphene)，则可藉由比硅高十倍的电子迁移率，达到兆...[详细]
投资放缓导致产能下降明年芯片厂投资增60%

根据半导体设备权威机构SEMI的报道，由于今年半导体投资迅速下降，导致全球产能下降。SEMI认为如果半导体市场迅速与全球经济同步复苏，目前的低投资水平无法满足需求。SEMI预计明年芯片厂投资将增加60%。然而，2009年在很低水平，如08年用于芯片厂房建设投资为46亿美元，而09年仅16亿美元。预计明年为28亿欧元。全球半导体设备业于2008年消费2...[详细]
GlobalFoundries迎首位客户摆脱AMD阴影

北京时间7月17日中午消息，据国外媒体周五报道，由AMD拆分出来的芯片制造工厂GlobalFoundries即将迎来第一位客户。GlobalFoundries在旧金山的SemiconWest贸易展上表示，公司正努力开拓多位客户，使其芯片制造业务多元化，而第一位客户的到来意味着公司已迈出一大步。该公司拒绝透露新客户的名称，仅表示数周内将正式宣布此事。今年3月份，AMD拆...[详细]
三星电子预计增加下半年在半导体业务投资

电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。ET...[详细]
硅晶圆厂MEMC盈余骤减称太阳能需求不明

全球硅晶圆制造巨擘MEMCElectronicMaterials于23日美股盘后公布2009年第2季(4-6月)财报：受整体经济环境疲弱的影响，每股盈余达0.03美元，远逊于去年同期的0.76美元；营收年减46.8%(季增32.2%)至2.829亿美元。根据ThomsonReuters的调查，分析师原先预期本业每股盈余、营收各为损益两平、2.312亿美元。　　MEMC指出，Q2...[详细]
半导体产业既乐观又担忧的7个理由

尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测，即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEOHutcheson对于IC工业仍非常乐观。根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告，以下将结论刊出，共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。1.看到回升7月的周报IC销售额上升到33亿...[详细]
尔必达DRAM拟涨价并寻求注资股价劲升15%

据国外媒体报道，日本尔必达记忆体股价周三大涨近15%，因其计划大幅上调芯片价格，同时有报导指该公司可能寻求5亿美元公共注资以充实资本。　　该公司下月起将上调晶片价格约50%，因为先前的减产已经缓解芯片产业供应过剩的局面。尔必达是全球第三大动态随机存取记忆体(DRAM)厂商。　　芯片厂商在过去繁荣时期的过度投资，导致产业步入长达两年的下滑，奇梦达被迫申请破产，而累累亏损的尔必达亦被迫...[详细]
三家合作开发NAND存储器系统解决方案

恒忆半导体（Numonyx）、群联电子（PhisonElectronicsCorp.）和海力士（Hynix）今天宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDECeMMC™4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个...[详细]
鸿海4月营收同比环比均下降8% 低于分析预期

据台湾媒体报道，代工企业鸿海公布，该公司2009年4月非合并营收为944.07亿元新台币(下同)，较2008年同期1028.65亿元减少8.22%，较3月1028.74亿元减少8.23%。累计2009年1至4月的非合并营收为3724.05亿元，较2008年同期减少7.98%。　　鸿海指出，4月营收未达千亿元，主要原因为消费性电子产品及网通产品的营业额较3月下滑，但个人电脑产品则为上升状...[详细]
三星预估DRAM出货增长10%至15%

5月12日消息，韩国电子公司三星宣布，预估今年DRAM出货量将增长10-15%，而NAND闪存出货则估计上涨25-30%。　　三星高层曾在4月表示，预估广泛用于个人电脑的DRAM芯片，在今(2009)年出货量将有10%-15%的增长，由去年10月的预估值降下来。　　在互联网上公开的简报文件显示，三星也预期专用于消费性电子设备的NAND，今年出货将增长25-30%。　　三星近两...[详细]
ST高管预计芯片市场回暖速度快于预期

STMicroelectronics公司高管表示，预计半导体市场将以高于此前业界预期的速度回暖，目前主要地区的销售额都已出现改善信号。ST高管称中国及整个亚洲地区的需求自第一季度末已开始回升，使无线、电脑、工业芯片和多功能芯片市场销售额回暖。“此前出现的市场改善信号在过去两周内得到了确认。”ST总裁兼CEOCarloBozotti在公司年度分析师日上的演讲中表示，“...[详细]
等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性

SiN广泛地用于半导体技术中，使SiN成为重要电介质的主要特性是其漏电流低且击穿电压高。超大规模集成（ULSI）技术推进时，特征尺寸减少而芯片尺寸加大。互连线的阻容延迟在决定集成电路性能方面的作用越来越重要。Cu正在替代Al用于制造技术中的互连金属，主要是因为其体电阻率较低，应力和电子迁移性能优越。双大马士革工艺中由具有嵌入铜线的低-k薄膜组成的多层互连结构已被确认为是下一代技术...[详细]
东芝回应传闻：未决定是否增加芯片生产水平

5月31日消息，日本东芝公司表示，尚未决定是否增加芯片生产，此前有报道称该公司计划将生产水平恢复至1月之前的水平。综合外电报道，日本东芝公司(Toshiba)表示，尚未决定是否增加芯片生产。日本媒体NHK此前报道，该芯片制造商计划将生产恢复至1月初减产30%之前的水平。...[详细]

小广播

热搜元器件