Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SM8LC05

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SM8LC05: 产品描述800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小91KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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SM8LC05概述

800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

SM8LC05规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	SOD
包装说明	PLASTIC, SO-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	6 V
最大钳位电压	9.8 V
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	500 W
元件数量	4
端子数量	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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8700 E. Thomas Road

Scottsdale, AZ 85251

Tel: (480) 941-6300

Fax: (480) 947-1503

SM8LC03

thru

SM8LC24

DESCRIPTION (500 watt)

This TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) array is packaged

in an SO-8 configuration giving protection to 2 Bidirectional data or

interface lines. It is designed for use in applications where protection

is required at the board level from voltage transients caused by

electrostatic discharge (ESD) as defined in IEC 1000-4-2, electrical

fast transients (EFT) per IEC 1000-4-4 and effects of secondary

lighting.

These TVS arrays have a peak power rating of 500 watts for an

8/20µsec pulse. This array is suitable for protection of sensitive circuitry consisting of TTL, CMOS

DRAM’s, SRAM’s, HCMOS, HSIC microprocessors, and I/O transceivers. The SM8LCXX product provides

board level protection from static electricity and other induced voltage surges that can damage sensitive

circuitry.

TVSarray™ Series

™

FEATURES

•

Protects up to 2 Bidirectional lines

Surge protection Per IEC 1000-4-2, IEC 1000-4-4

Provides electrically isolated protection

SO-8 Packaging

Low capacitance of 25 Pf per line pair

MECHANICAL

•

Molded SO-8 Surface Mount

Weight: 0.066 grams (approximate)

Marking: Logo, device number, date code

Pin #1 defined by DOT on top of package

MAXIMUM RATINGS

•

Operating Temperatures: -55 C to +150 C

Storage Temperature: -55

C to +150

Peak Pulse Power: 500 Watts (8/20

µsec,

Figure 1)

Pulse Repetition Rate: <.01%

PACKAGING

•

Tape & Reel EIA Standard 481-1-A

13 inch reel 2,500, pieces (OPTIONAL)

Carrier tubes 95 pcs per (STANDARD)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE @ 25

C Unless otherwise specified

STAND

OFF

VOLTAGE

VOLTS

MAX

SM8LC03

SM8LC05

SM8LC12

SM8LC15

SM8LC24

PGF

PGA

PGB

PGC

PGD

3.3

5.0

12.0

15.0

24.0

BREAKDOWN

VOLTAGE

@1 mA

VOLTS

MIN

6.0

13.3

16.7

26.7

CLAMPING

VOLTAGE

@ 1 Amp

(FIGURE 2)

VOLTS

MAX

9.8

CLAMPING

VOLTAGE

@ 5 Amp

(FIGURE 2)

VOLTS

MAX

LEAKAGE

CURRENT

@ V

µA

MAX

200

CAPACITANCE

(f=1 MHz)

@0V

TYP

TEMPERATURE

COEFFICIENT

OF V

VBR

mV/°C

MAX

-5

PART

NUMBER

DEVICE

MARKING

NOTE:

TVS product is normally selected based on its stand off Voltage V

. Product selected voltage

should be equal to or greater than the continuous peak operating voltage of the circuit to be protected.

Application:

The SM8LCXX product is designed for transient voltage suppression protection of ESD

sensitive components at the board level. It is an ideal product to be used for protection of I/O Transceivers.

MSC0333A.PDF

ISO 9001 CERTIFIED

REV N 7/07/2000

SM8LC05相似产品对比

	SM8LC05	SM8LC24	SM8LC03	SM8LC15	SM8LC12
描述	800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE	800 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	SOD	SOD	SOD	SOD	SOD
包装说明	PLASTIC, SO-8	R-PDSO-G8	PLASTIC, SO-8	PLASTIC, SO-8	PLASTIC, SO-8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE	LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	6 V	26.7 V	4 V	16.7 V	13.3 V
最大钳位电压	9.8 V	43 V	7 V	24 V	17.5 V
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS	SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	500 W	500 W	500 W	500 W	500 W
元件数量	4	4	4	4	4
端子数量	8	8	8	8	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V	24 V	3.3 V	15 V	12 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Is Samacsys	N	-	N	N	N
Base Number Matches	1	-	1	1	1

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