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SMBJ51CA

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小133KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SMBJ51CA概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

SMBJ51CA规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconduc
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-214
包装说明R-PDSO-C2
针数2
制造商包装代码2LD, SMB, JEDEC DO-214, VARIATION AA
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiTVS DIODE, 600W, 51V, DO-214AA; Product Range:SMBJ Series; TVS Polarity:Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:51V; Clamping Voltage Vc Max:82.4V; Diode Case Style:DO-214AA (SMB); No. of Pins:2Pins; Breakdown Voltage Min:56.7VRoHS Compliant: Yes
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压62.7 V
最小击穿电压56.7 V
击穿电压标称值59.7 V
最大钳位电压82.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压51 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
Features
Glass passivated junction.
600W Peak Pulse Power capability on
10/1000
µs
waveform.
Excellent clamping capability.
Low incremental surge resistance.
Fast response time; typically less
than 1.0 ps from 0 volts to BV for
unidirectional and 5.0 ns for
bidirectional.
Typical I
R
less than 1.0
µA
above 10V.
SMB/DO-214AA
COLOR BAND DENOTES CATHODE
ON UNIDIRECTIONAL DEVICES ONLY.
NO COLOR BAND ON BIDIRECTIONAL
DEVICES.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
- Bidirectional types use CA suffix.
- Electrical Characteristics apply in both directions.
600 Watt Transient Voltage Suppressors
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000
µs
waveform
Peak Pulse Current on 10/1000
µs
waveform
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
superimposed on rated load (JEDEC method)
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
(Note 1)
Value
minimum 600
see table
100
-55 to +150
-55 to +150
Units
W
A
A
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Note 1:
Measured on 8.3 ms single half-sine wave or equivalent square wave; Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
2001
Fairchild Semiconductor Corporation
SMBJ5.0(C)A-SMBJ170(C)A, Rev. D
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