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SMBJ5V0A

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SMBJ5V0A概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

SMBJ5V0A规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码DO-214
包装说明SMB, 2 PIN
针数2
制造商包装代码2LD, SMB, JEDEC DO-214, VARIATION AA
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionDIODE, TVS, 5V, UNIDIRECTIONAL, DO-214AA
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压7 V
最小击穿电压6.4 V
击穿电压标称值6.7 V
最大钳位电压9.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMBJ5V0(C)A - SMBJ170(C)A
Transient Voltage Suppressors
SMBJ5V0(C)A - SMBJ170(C)A
Features
Glass passivated junction.
600W Peak Pulse Power capability on
10/1000
µs
waveform.
Excellent clamping capability.
Low incremental surge resistance.
Fast response time; typically less
than 1.0 ps from 0 volts to BV for
unidirectional and 5.0 ns for
bidirectional.
Typical I
R
less than 1.0
µA
above 10V.
SMB/DO-214AA
COLOR BAND DENOTES CATHODE
ON UNIDIRECTIONAL DEVICES ONLY.
NO COLOR BAND ON BIDIRECTIONAL
DEVICES.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
- Bidirectional types use CA suffix.
- Electrical Characteristics apply in both directions.
600 Watt Transient Voltage Suppressors
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
stg
T
J
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000
µs
waveform
Peak Pulse Current on 10/1000
µs
waveform
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
superimposed on rated load (JEDEC method)
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
(Note 1)
Value
600
see table
100
-55 to +150
+ 150
Units
W
A
A
°C
°C
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Note 1:
Measured on 8.3 ms single half-sine wave or equivalent square wave; Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
2003
Fairchild Semiconductor Corporation
SMBJ5V0(C)A-SMBJ170(C)A, Rev. I

SMBJ5V0A相似产品对比

SMBJ5V0A SMBJ170(C)A SMBJ5V0(C)A
描述 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
最大击穿电压 7 V 7 V 7 V
最小击穿电压 6.4 V 6.4 V 6.4 V
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
极性 UNIDIRECTIONAL 单向 单向
表面贴装 YES Yes Yes
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL
加工封装描述 - SMB, 2 PIN SMB, 2 PIN
无铅 - Yes Yes
欧盟RoHS规范 - Yes Yes
状态 - ACTIVE ACTIVE
包装形状 - 矩形的 矩形的
包装尺寸 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
端子涂层 - MATTE 锡 MATTE 锡
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
工艺 - AVALANCHE AVALANCHE
结构 - 单一的 单一的
关闭电压 - 5 V 5 V
最大非重复峰值转速功率 - 600 W 600 W
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