电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

6206C45/BXAJC

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小441KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

6206C45/BXAJC概述

Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28

6206C45/BXAJC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid105356413
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

6206C45/BXAJC相似产品对比

6206C45/BXAJC 6206C15/BYAJC 6206C35/BXAJC 6206C45/BYAJC
描述 Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, CDFP28 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIP, DIP28,.6 DFP, FL28(UNSPEC) DIP, DIP28,.6 DFP, FL28,.25
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 45 ns 15 ns 35 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDFP-F28 R-XDIP-T28 R-XDFP-F28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DFP DIP DFP
封装等效代码 DIP28,.6 FL28(UNSPEC) DIP28,.6 FL28,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.125 mA 0.15 mA 0.135 mA 0.125 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 1.27 mm
Base Number Matches - 1 1 1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 288  654  1266  1315  1349 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved