Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.135 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 6206C35/BXAJC | 6206C15/BYAJC | 6206C45/BYAJC | 6206C45/BXAJC | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28 | Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, CDFP28 | Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28 | Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DFP, FL28(UNSPEC) | DFP, FL28,.25 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 35 ns | 15 ns | 45 ns | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-XDFP-F28 | R-XDFP-F28 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DFP | DFP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | FL28(UNSPEC) | FL28,.25 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.135 mA | 0.15 mA | 0.125 mA | 0.125 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm | 2.54 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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