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TSMF3710

产品描述High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小139KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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TSMF3710概述

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

TSMF3710规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明MINIATURE, PLASTIC, SMD, LCC-2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最大正向电流0.1 A
JESD-609代码e3
功能数量1
最高工作温度100 °C
最低工作温度-55 °C
光电设备类型INFRARED LED
标称输出功率32 mW
峰值波长870 nm
形状ROUND
尺寸2.4 mm
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

TSMF3710相似产品对比

TSMF3710 TSMF3710-GS08 TSMF3710-GS18
描述 High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大正向电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A
JESD-609代码 e3 e3 e3
最高工作温度 100 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -40 °C -40 °C
峰值波长 870 nm 870 nm 870 nm
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1 1
最大正向电压 - 1.8 V 1.8 V
安装特点 - SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
最大反向电压 - 5 V 5 V
半导体材料 - GaAlAs GaAlAs
光谱带宽 - 4e-8 m 4e-8 m
表面贴装 - YES YES
视角 - 120 deg 120 deg

 
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