High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | MINIATURE, PLASTIC, SMD, LCC-2 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
配置 | SINGLE |
最大正向电流 | 0.1 A |
JESD-609代码 | e3 |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 100 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
光电设备类型 | INFRARED LED |
标称输出功率 | 32 mW |
峰值波长 | 870 nm |
形状 | ROUND |
尺寸 | 2.4 mm |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches | 1 |
TSMF3710 | TSMF3710-GS08 | TSMF3710-GS18 | |
---|---|---|---|
描述 | High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero | High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero | High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
最大正向电流 | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
最高工作温度 | 100 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -40 °C |
峰值波长 | 870 nm | 870 nm | 870 nm |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
最大正向电压 | - | 1.8 V | 1.8 V |
安装特点 | - | SURFACE MOUNT | SURFACE MOUNT |
最大反向电压 | - | 5 V | 5 V |
半导体材料 | - | GaAlAs | GaAlAs |
光谱带宽 | - | 4e-8 m | 4e-8 m |
表面贴装 | - | YES | YES |
视角 | - | 120 deg | 120 deg |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved