TSMF3710-GS18,TSMF3710-GS18 pdf中文资料,TSMF3710-GS18引脚图,TSMF3710-GS18电路-Datasheet-电子工程世界

TSMF3710-GS18: 产品描述High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero; 产品类别光电子/LED 光电; 文件大小139KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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TSMF3710-GS18概述

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

	TSMF3710-GS18	TSMF3710	TSMF3710-GS08
描述	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
最大正向电流	0.1 A	0.1 A	0.1 A
JESD-609代码	e3	e3	e3
最高工作温度	85 °C	100 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-40 °C
峰值波长	870 nm	870 nm	870 nm
端子面层	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Base Number Matches	1	1	1
最大正向电压	1.8 V	-	1.8 V
安装特点	SURFACE MOUNT	-	SURFACE MOUNT
最大反向电压	5 V	-	5 V
半导体材料	GaAlAs	-	GaAlAs
光谱带宽	4e-8 m	-	4e-8 m
表面贴装	YES	-	YES
视角	120 deg	-	120 deg

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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