Memory IC, 256MX72, CMOS, PDMA240
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Objectid | 106304992 |
| 包装说明 | DIMM, DIMM240,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 266 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N240 |
| 内存密度 | 19327352832 bit |
| 内存宽度 | 72 |
| 端子数量 | 240 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM240,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 1.5,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| MT18HTF25672FY-53E | MT18HTF6472FY-53EXX | MT18HTF6472FY-667XX | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Memory IC, 256MX72, CMOS, PDMA240 | DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, LEAE FREE, FBDIMM-240 | DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, LEAE FREE, FBDIMM-240 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | DIMM, DIMM240,40 | DIMM, | DIMM, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-PDMA-N240 | R-XDMA-N240 | R-XDMA-N240 |
| 内存密度 | 19327352832 bit | 4831838208 bit | 4831838208 bit |
| 内存宽度 | 72 | 72 | 72 |
| 端子数量 | 240 | 240 | 240 |
| 字数 | 268435456 words | 67108864 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 256000000 | 64000000 | 64000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 256MX72 | 64MX72 | 64MX72 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | - | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | - | DIMM | DIMM |
| 针数 | - | 240 | 240 |
| 访问模式 | - | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-609代码 | - | e4 | e4 |
| 内存集成电路类型 | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | - | 1 | 1 |
| 工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 |
| 自我刷新 | - | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 端子面层 | - | Gold (Au) | Gold (Au) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 30 | 30 |
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