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P6KE250A

产品描述瞬态电压抑制二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小179KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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P6KE250A概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称:瞬态电压抑制二极管


产品型号:P6KE250A


产品特征:


Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0


Exceeds environmental standards of MIL-STD-19500


600W surge capability at 10 x 100us waveform,duty cycle: 0.01%


Excellent clamping capability


Low zener impedance


Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volts to VBR for unidirectional and 5.0 ns for bidirectional


Typical IR less than 1uA above 10V


High temperature soldering guaranteed:2500C/ 10 seconds/.375",(9.5mm) lead length / 5lbs.,(2.3kg) tension



机械数据:


Cases: Molded plastic


Epoxy:UL94V-0 rate flame retardant


Lead :Axial leads, solderable per MIL- STD-202, Method 208


Polarity: Color band denotes cathode except Bipolar


Weight: 0.34 gram



最大额定值和电气特性:


Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.



产品数据:


Peak Power Dissipation at TA=25℃, TP=1ms PPK 正向功耗:Minimun 600W


Steady State Power Dissipation at TL=25℃ PD 稳定功耗:2.0W


Peak Forward Surge Current IFSM 正向脉冲流: 100A


Maximum Instaneous Forward Voltage at 50A for Unidirectional Only VF 正向压降:3.5 /5.0V


Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温:-55 to +175℃


Nominal Voltage 额定电压:250V


Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压 : Min: 237V Max:263V


Test Current at IT 测试电流:1.0mA


Stand-Off Voltage Vwm 变位电压:214V


Max Reverse Leakage at Vwm ID 最大反向漏电流: 5.0uA


Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流:1.8A


Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压:344.0V


Maximun Temperature Coefficient of VBR 最大温度系数: 0.110%/℃



封装:DO-15


P6KE250A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, Bulk; 500
最大击穿电压263 V
最小击穿电压237 V
击穿电压标称值250 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压344 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)5 V
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压214 V
最大反向电流5 µA
反向测试电压214 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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