SRAM Module, 512KX32, 70ns, CMOS, CPGA66
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1516349257 |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 |
端子数量 | 66 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.008 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.66 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
DPS512X32AV3-70B | DPS512X32AV3-55B | DPS512X32AV3-45B | |
---|---|---|---|
描述 | SRAM Module, 512KX32, 70ns, CMOS, CPGA66 | SRAM Module, 512KX32, 55ns, CMOS, CPGA66 | SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CPGA66 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Objectid | 1516349257 | 1516332554 | 1516344495 |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 | PGA, PGA66,11X11 | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 70 ns | 55 ns | 45 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-XPGA-P66 | S-XPGA-P66 | S-XPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
端子数量 | 66 | 66 | 66 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | PGA | PGA | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 | PGA66,11X11 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.008 A | 0.008 A | 0.008 A |
最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.66 mA | 0.66 mA | 0.66 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR |
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