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SSM6N35FE

产品描述Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM6N35FE概述

Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

SSM6N35FE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.18 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SSM6N35FE
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM6N35FE
High-Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
Unit: mm
1.6±0.05
1.2±0.05
1.2-V drive
1.6±0.05
N-ch 2-in-1
Low ON-resistance: R
on
= 20
(max) (@V
GS
= 1.2 V)
: R
on
= 8
(max) (@V
GS
= 1.5 V)
: R
on
= 4
(max) (@V
GS
= 2.5 V)
: R
on
= 3
(max) (@V
GS
= 4.0 V)
1.0±0.05
0.5 0.5
1
2
3
6
5
4
0.2±0.05
0.12±0.05
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristics
Drain–source voltage
Gate–source voltage
Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
DC
Pulse
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note 1)
T
ch
T
stg
Rating
20
±10
180
360
150
150
−55
to 150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
0.55±0.05
1.Source1
4.Source2
5.Gate2
6.Drain1
ES6
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2.Gate1
3.Drain2
-
-
2-2N1A
Weight: 3.0 mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease
in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Mounted on an FR4 board
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm
×
6)
Marking
6
5
4
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
KZ
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
1
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