TZB20B,TZB20B pdf中文资料,TZB20B引脚图,TZB20B电路-Datasheet-电子工程世界

TZB20B: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小241KB，共2页; 制造商Semicon Components Inc

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TZB20B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

TZB20B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1401498165
包装说明	O-XALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	21 V
最小击穿电压	19 V
击穿电压标称值	20 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	27.7 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	17 V
最大反向电流	2 µA
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

TZB20B相似产品对比

	TZB20B	TZB13B	TZB51B	TZB6.8B
描述	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 44V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Objectid	1401498165	1401498129	1401498225	1401498233
包装说明	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大击穿电压	21 V	13.7 V	53.6 V	7.14 V
最小击穿电压	19 V	12.4 V	48.5 V	6.45 V
击穿电压标称值	20 V	13 V	51 V	6.8 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大钳位电压	27.7 V	18.2 V	70.1 V	10.5 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W	400 W	400 W	400 W
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W	1 W	1 W	1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	17 V	11 V	44 V	5.8 V
最大反向电流	2 µA	2 µA	2 µA	500 µA
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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