电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

TZB13B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小241KB,共2页
制造商Semicon Components Inc
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TZB13B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

TZB13B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1401498129
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压13.7 V
最小击穿电压12.4 V
击穿电压标称值13 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压18.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压11 V
最大反向电流2 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

TZB13B相似产品对比

TZB13B TZB20B TZB51B TZB6.8B
描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 17V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 44V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid 1401498129 1401498165 1401498225 1401498233
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大击穿电压 13.7 V 21 V 53.6 V 7.14 V
最小击穿电压 12.4 V 19 V 48.5 V 6.45 V
击穿电压标称值 13 V 20 V 51 V 6.8 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大钳位电压 18.2 V 27.7 V 70.1 V 10.5 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值反向功率耗散 400 W 400 W 400 W 400 W
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1 W 1 W 1 W 1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 11 V 17 V 44 V 5.8 V
最大反向电流 2 µA 2 µA 2 µA 500 µA
表面贴装 NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 374  505  634  868  1284 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved