Power Management Circuit, CMOS, PDIP8,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 100057535 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电流 (Isup) | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| SP805LES | |
|---|---|
| 描述 | Power Management Circuit, CMOS, PDIP8, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 100057535 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电流 (Isup) | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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