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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE13005DG-A-TA3-T
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MJE13005DG-A-TA3-T

产品描述Power Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB，共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE13005DG-A-TA3-T概述

Power Bipolar Transistor

MJE13005DG-A-TA3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1274610264
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MJE13005D
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN POWER
TRANSISTOR
DESCRIPTION
1
TO-220
1
TO-220F
The UTC
MJE13005D
is a high voltage fast-switching NPN
power transistor. It is characterized by high breakdown voltage,
high current capability, high switching speed and high reliability.
The UTC
MJE13005D
is intended to be used in energy-saving
light, electronic ballast, high frequency switching power supply, high
frequency power transform or common power amplifier, etc.
1
TO-251
1
TO-126
FEATURES
1
TO-126S
* High Breakdown Voltage
* High Current Capability
* High Switching Speed
* High Reliability
* RoHS-Compliant Product
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MJE13005DL-x-TA3-T
MJE13005DG-x-TA3-T
MJE13005DL-x-TF3-T
MJE13005DG-x-TF3-T
MJE13005DL-x-TM3-T
MJE13005DG-x-TM3-T
MJE13005DL-x-T60-K
MJE13005DG-x-T60-K
MJE13005DL-x-T6S-K
MJE13005DG-x-T6S-K
Package
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-126
TO-126S
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
Packing
Tube
Tube
Tube
Bulk
Bulk
MJE13005DL-x-TA3-T
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Free
(1) T: Tube, K: Bulk
(2) TA3: TO-220, TF3: TO-220F, TM3: TO-251
(3) T60: TO-126, T6S: TO-126S
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) L: Lead Free, G: Halogen Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2013 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R502-379.f

MJE13005DG-A-TA3-T相似产品对比

MJE13005DG-A-TA3-T MJE13005DL-B-TA3-T MJE13005DL-D-TA3-T MJE13005DG-B-TA3-T MJE13005DG-C-TA3-T MJE13005DG-D-TA3-T MJE13005DG-E-TA3-T MJE13005DL-A-TA3-T MJE13005DL-C-TA3-T MJE13005DL-E-TA3-T
描述 Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor Power Bipolar Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Objectid 1274610264 1274610276 1274610280 1274610266 1274610268 1274610270 1274610272 1274610274 1274610278 1274610282
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE) 15 20 30 20 25 30 40 15 25 40
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz

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