Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BR802

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BR802: 产品描述6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小18KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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BR802概述

6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BR802规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
最大非重复峰值正向电流	300 A
元件数量	4
最大输出电流	8 A
最大重复峰值反向电压	200 V
表面贴装	NO

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BR800 - BR810

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 8.0 Amperes

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Ideal for printed circuit board

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR10

0.520 (13.20)

0.480 (12.20)

0.158 (4.00)

0.142 (3.60)

0.77 (19.56)

0.73 (18.54)

0.290 (7.36)

0.210 (5.33)

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

0.75 (19.1)

Min.

0.30 (7.62)

0.25 (6.35)

MECHANICAL DATA :

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per

MIL - STD 202 , Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

* Weight : 6.1 grams

Dimensions in inches and ( millimeters )

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc=50

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

Maximum Forward Voltage per Diode at I

= 4.0 Amp.

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Ta = 25

Ta = 100

SYMBOL

BR800 BR801 BR802 BR804 BR806 BR808 BR810

100

200

140

200

400

280

400

8.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

UNIT

Volts

Amps.

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(H)

STG

300

160

1.0

200

2.5

- 40 to + 150

Amps.

Volts

µA

C/W

Notes :

1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" THK

(8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al. Plate. heatsink.

UPDATE : APRIL 23, 1998

BR802相似产品对比

	BR802	BR800	BR801	BR804	BR806	BR808	BR810
描述	6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compli	compli	compli	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	250 A
元件数量	4	4	4	4	4	4	4
最大输出电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
最大重复峰值反向电压	200 V	50 V	100 V	400 V	600 V	800 V	1000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO

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