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BR24L04FJ-W: 产品描述512】8 bit electrically erasable PROM; 产品类别存储存储; 文件大小390KB，共25页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24L04FJ-W概述

512】8 bit electrically erasable PROM

BR24L04FJ-W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR
JESD-30 代码	R-PDSO-J8
JESD-609代码	e2
长度	4.9 mm
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.775 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

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Memory ICs

BR24L04-W / BR24L04F-W / BR24L04FJ-W

BR24L04FV-W / BR24L04FVM-W

512×8 bit electrically erasable PROM

BR24L04-W / BR24L04F-W / BR24L04FJ-W /

BR24L04FV-W / BR24L04FVM-W

The BR24L04-W series is 2-wire (I

C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗

I C BUS is a registered trademark of Philips.

Applications

General purpose

Features

1) 512 registers

8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 16byte Page Write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.2mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin).

Inhibit to WRITE at low V

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL

•

SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

−0.3

+6.5

800(DIP8)

450(SOP8)

Power dissipation

450(SOP-J8)

300(SSOP-B8)

310(MSOP8)

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

∗1

∗2

∗3

∗4

Unit

∗1

∗2

∗3

∗4

Tstg

Topr

−

−65

+125

−40

+85

−0.3

to V

+0.3

°C

Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.

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BR24L04FJ-W相似产品对比

	BR24L04FJ-W	BR24L04F-W	BR24L04FV-W	BR24L04FVM-W
描述	512】8 bit electrically erasable PROM	512】8 bit electrically erasable PROM	512】8 bit electrically erasable PROM	512】8 bit electrically erasable PROM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	MSOP
包装说明	ROHS COMPLIANT, SOP-8	ROHS COMPLIANT, SOP-8	ROHS COMPLIANT, SSOP-8	ROHS COMPLIANT, MSOP-8
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR	1010DDMR	1010DDMR	1010DDMR
JESD-30 代码	R-PDSO-J8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2	e2	e2	e2
长度	4.9 mm	5 mm	4.4 mm	2.9 mm
内存密度	4096 bi	4096 bi	4096 bi	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
字数	512 words	512 words	512 words	512 words
字数代码	512	512	512	512
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512X8	512X8	512X8	512X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOP	LSSOP	TSSOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	TSSOP8,.16
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.775 mm	1.78 mm	1.5 mm	1.095 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
端子形式	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10
宽度	3.9 mm	4.4 mm	3 mm	2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE
厂商名称	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)

BR24L04FJ-W

BR24L04FJ-W概述

BR24L04FJ-W规格参数

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