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BR24L04F-W

产品描述512】8 bit electrically erasable PROM
产品类别存储    存储   
文件大小390KB，共25页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24L04F-W概述

512】8 bit electrically erasable PROM

BR24L04F-W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e2
长度5 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.78 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE

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Memory ICs
BR24L04-W / BR24L04F-W / BR24L04FJ-W
BR24L04FV-W / BR24L04FVM-W
512×8 bit electrically erasable PROM
BR24L04-W / BR24L04F-W / BR24L04FJ-W /
BR24L04FV-W / BR24L04FVM-W
The BR24L04-W series is 2-wire (I
2
C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.
∗
I C BUS is a registered trademark of Philips.
2
Applications
General purpose
Features
1) 512 registers
×
8 bits serial architecture.
2) Single power supply (1.8V to 5.5V).
3) Two wire serial interface.
4) Self-timed write cycle with automatic erase.
5) 16byte Page Write mode.
6) Low power consumption.
Write (5V) : 1.2mA (Typ.)
Read (5V) : 0.2mA (Typ.)
Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)
7) DATA security
Write protect feature (WP pin).
Inhibit to WRITE at low V
CC
.
8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8
9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure
10) High reliability fine pattern CMOS technology.
11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles
12) Data retention : 40 years
13) Filtered inputs in SCL
•
SDA for noise suppression.
14) Initial data FFh in all address.
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
Limits
−0.3
to
+6.5
800(DIP8)
450(SOP8)
Power dissipation
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
310(MSOP8)
Storage temperature
Operating temperature
Terminal voltage
∗1
∗2
∗3
∗4
Unit
V
∗1
∗2
∗2
∗3
∗4
mW
Tstg
Topr
−
−65
to
+125
−40
to
+85
−0.3
to V
CC
+0.3
°C
°C
V
Reduced by 8.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 4.5mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 3.0mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
Reduced by 3.1mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.
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BR24L04F-W相似产品对比

BR24L04F-W BR24L04FJ-W BR24L04FV-W BR24L04FVM-W
描述 512】8 bit electrically erasable PROM 512】8 bit electrically erasable PROM 512】8 bit electrically erasable PROM 512】8 bit electrically erasable PROM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC MSOP
包装说明 ROHS COMPLIANT, SOP-8 ROHS COMPLIANT, SOP-8 ROHS COMPLIANT, SSOP-8 ROHS COMPLIANT, MSOP-8
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR 1010DDMR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-J8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e2 e2 e2 e2
长度 5 mm 4.9 mm 4.4 mm 2.9 mm
内存密度 4096 bi 4096 bi 4096 bi 4096 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512X8 512X8 512X8 512X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOJ LSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.25 TSSOP8,.16
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.78 mm 1.775 mm 1.5 mm 1.095 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10
宽度 4.4 mm 3.9 mm 3 mm 2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE HARDWARE HARDWARE
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) - ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)

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