512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| 25C040T/ST | 25C040/ST | |
|---|---|---|
| 描述 | 512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8 | 512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP-8 | TSSOP-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1M ENDURANCE CYCLES |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 3 MHz | 3 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 长度 | 4.4 mm | 4.4 mm |
| 内存密度 | 4096 bi | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 512X8 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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