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SGA4586Z: 产品描述0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小281KB，共6页; 制造商RF Micro Devices (Qorvo); 标准

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SGA4586Z概述

0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN

SGA4586Z规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Objectid	1056541230
包装说明	SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	5A991.G
特性阻抗	50 Ω
构造	COMPONENT
增益	22 dB
最大输入功率 (CW)	18 dBm
JESD-609代码	e3
安装特点	SURFACE MOUNT
功能数量	1
端子数量	4
最大工作频率	4000 MHz
最小工作频率
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SL,4GW-LD,.085CIR
电源	3.6 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	49 mA
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
端子面层	Matte Tin (Sn)

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SGA4586ZDC

to 4000MHz,

Cascadable

SiGe HBT

MMIC Ampli-

fier

SGA4586Z

DC to 4000MHz, CASCADABLE SiGe HBT

MMIC AMPLIFIER

Package: SOT-86

Product Description

The SGA4586Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darlington con-

figuration featuring one-micron emitters provides high F

and excellent thermal per-

formance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leakage

current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities results in

higher suppression of intermodulation products. Only two DC-blocking capacitors, a

bias resistor, and an optional RF choke are required for operation.

Features



High Gain: 17.9dB at

1950MHz

Cascadable 50Ω

Operates from Single Supply

Low Thermal Resistance

Package

PA Driver Amplifier

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

Wireless Data, Satellite

Optimum Technology

Matching® Applied

Gain & Return Loss vs. Freq. @T

=+25°C

Applications



GaAs HBT

GaAs MESFET

InGaP HBT

SiGe BiCMOS

Si BiCMOS

Gain (dB)

32.0

GAIN

0.0

-10.0

IRL



24.0

16.0

ORL

Return Loss (dB)



-20.0

-30.0

-40.0

0.0

1.0

2.0

3.0

Frequency (GHz)

4.0

5.0



SiGe HBT

GaAs pHEMT

Si CMOS

Si BJT

GaN HEMT

RF MEMS

8.0

0.0

Parameter

Small Signal Gain

Min.

22.0

Specification

Typ.

24.0

17.9

16.3

16.5

13.7

28.6

27.7

4000

Max.

26.5

Unit

dBm

MHz

850MHz

1950MHz

2400MHz

850MHz

1950MHz

850MHz

1950MHz

>10dB

Condition

Output Power at 1dB Compression

Output Third Intercept Point

Bandwidth Determined by Return

Loss (>10dB)

Input Return Loss

19.4

1950MHz

Output Return Loss

21.5

1950MHz

Noise Figure

1.9

1950MHz

Device Operating Voltage

3.6

Device Operating Current

Thermal Resistance

°C/W

(Junction - Lead)

Test Conditions: V

=8V, I

=45mA Typ., OIP

Tone Spacing=1MHz, P

OUT

per tone=-5dBm, R

BIAS

=100Ω, T

=25°C, Z

=50Ω

RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-

mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.

DS100916

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

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描述	0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN	0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN	Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, BIPolar, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
Objectid	1056541230	1056541230	1056541229
包装说明	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	5A991.G	5A991.G	5A991.G
特性阻抗	50 Ω	50 Ω	50 Ω
构造	COMPONENT	COMPONENT	COMPONENT
增益	22 dB	22 dB	22 dB
最大输入功率 (CW)	18 dBm	18 dBm	18 dBm
JESD-609代码	e3	e3	e3
安装特点	SURFACE MOUNT	SURFACE MOUNT	SURFACE MOUNT
功能数量	1	1	1
端子数量	4	4	4
最大工作频率	4000 MHz	4000 MHz	4000 MHz
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR
电源	3.6 V	3.6 V	3.6 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	49 mA	49 mA	49 mA
表面贴装	YES	YES	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)

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