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SGA-4586Z

产品描述0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小281KB,共6页
制造商RF Micro Devices (Qorvo)
标准  
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SGA-4586Z概述

0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN

SGA-4586Z规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1056541230
包装说明SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A991.G
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益22 dB
最大输入功率 (CW)18 dBm
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量4
最大工作频率4000 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SL,4GW-LD,.085CIR
电源3.6 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率49 mA
表面贴装YES
技术BIPOLAR
端子面层Matte Tin (Sn)

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SGA4586ZDC
to 4000MHz,
Cascadable
SiGe HBT
MMIC Ampli-
fier
SGA4586Z
DC to 4000MHz, CASCADABLE SiGe HBT
MMIC AMPLIFIER
Package: SOT-86
Product Description
The SGA4586Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darlington con-
figuration featuring one-micron emitters provides high F
T
and excellent thermal per-
formance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leakage
current between junctions. Cancellation of emitter junction non-linearities results in
higher suppression of intermodulation products. Only two DC-blocking capacitors, a
bias resistor, and an optional RF choke are required for operation.
Features
High Gain: 17.9dB at
1950MHz
Cascadable 50Ω
Operates from Single Supply
Low Thermal Resistance
Package
PA Driver Amplifier
Cellular, PCS, GSM, UMTS
IF Amplifier
Wireless Data, Satellite
Optimum Technology
Matching® Applied
Gain & Return Loss vs. Freq. @T
L
=+25°C
Applications
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
Gain (dB)
32.0
GAIN
0.0
-10.0
IRL
24.0
16.0
ORL
Return Loss (dB)
-20.0
-30.0
-40.0
0.0
1.0
2.0
3.0
Frequency (GHz)
4.0
5.0
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
RF MEMS
8.0
0.0
Parameter
Small Signal Gain
Min.
22.0
Specification
Typ.
24.0
17.9
16.3
16.5
13.7
28.6
27.7
4000
Max.
26.5
Unit
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
850MHz
1950MHz
>10dB
Condition
Output Power at 1dB Compression
Output Third Intercept Point
Bandwidth Determined by Return
Loss (>10dB)
Input Return Loss
19.4
dB
1950MHz
Output Return Loss
21.5
dB
1950MHz
Noise Figure
1.9
dB
1950MHz
Device Operating Voltage
3.6
V
Device Operating Current
41
45
49
mA
Thermal Resistance
97
°C/W
(Junction - Lead)
Test Conditions: V
S
=8V, I
D
=45mA Typ., OIP
3
Tone Spacing=1MHz, P
OUT
per tone=-5dBm, R
BIAS
=100Ω, T
L
=25°C, Z
S
=Z
L
=50Ω
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS100916
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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SGA-4586Z SGA4586Z SGA4586ZSR
描述 0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN 0MHz - 4000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, BIPolar, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
Objectid 1056541230 1056541230 1056541229
包装说明 SL,4GW-LD,.085CIR SL,4GW-LD,.085CIR SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 5A991.G 5A991.G 5A991.G
特性阻抗 50 Ω 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT COMPONENT
增益 22 dB 22 dB 22 dB
最大输入功率 (CW) 18 dBm 18 dBm 18 dBm
JESD-609代码 e3 e3 e3
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
最大工作频率 4000 MHz 4000 MHz 4000 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 SL,4GW-LD,.085CIR SL,4GW-LD,.085CIR SL,4GW-LD,.085CIR
电源 3.6 V 3.6 V 3.6 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 49 mA 49 mA 49 mA
表面贴装 YES YES YES
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